這種等效雙管電路的特性分析如下：

                         圖6 電路演變

上圖6從（a）到（b）為等效變換，圖（b）去掉電容且將二極管下移變?yōu)槌Ｒ?guī)電路（c）。

如果初級側(cè)兩繞組耦合理想則電容不起作用可以不加，電路等效于帶去磁繞組的正激變換器（圖（c）），如果初級繞組耦合的不理想那么增加一顆電容就能實現(xiàn)無損吸收效果，所以這種電路是兼容了常規(guī)正激和無損吸收兩種特性的一種電路。

接下來開始發(fā)掘這種電路的特點：

• 可以不采用雙向并繞工藝，初級兩繞組的耦合程度決定了所需電容（可視為鉗位電容）的大小。

以正激電路為例假設(shè)初級繞組耦合不理想，不同鉗位電容下的仿真結(jié)果如下：

  圖7 等效雙管正激在不同鉗位電容下的波形

上圖中實線為大鉗位電容波形、虛線為小鉗位電容波形。如果初級兩繞組耦合的不理想既漏感大就需要更大的鉗位電容，這點同RCD鉗位相似又因是無損吸收所以效率會高一些。

• 等效雙管正激的初級兩個繞組都具備驅(qū)動能力提高了變壓器利用率。

下面對比雙管正激、單管正激及等效雙管正激電路特點：

                     圖8 三種正激電路

（a）雙管正激多用了一個開關(guān)和一個二極管，驅(qū)動相對復(fù)雜些。

（b）單管正激初級兩繞組需要較好的耦合度，最大的缺點是多出的復(fù)位繞組降低了變壓器的利用率。

（c）等效雙管正激初級的兩個繞組都可以利用上，兩繞組的電流可以通過漏感進(jìn)行調(diào)整提高了變壓器的利用率。

圖9 單、雙管正激與等效雙管正激初級電流對比

圖9中虛線是單管及雙管正激初級電流（幾乎重合），兩條實線（ik1u、ik1d）分別是等效雙管正激中上繞組和下繞組中的電流，其中（a）圖是等漏感（b）圖上漏感略大于下漏感。

• 適當(dāng)?shù)穆└杏幸嬗诮档洼敵龆O管反向恢復(fù)引發(fā)的電流倒灌問題，下面以反激為例。

   圖10 不同漏感對反向恢復(fù)問題的影響

上圖中漏感較小的情況下MOS管開通時刻有一尖峰電流這是由輸出二極管反向恢復(fù)引起的，相同條件下略增大初級漏感這個尖峰電流就能得到有效抑制。

• 利用正反激拓?fù)淇山档妥儔浩黧w積。

           圖11正反激電路與正激電路對比

正激電路為了避免產(chǎn)生過高的無功功率勵磁電感一般都設(shè)計的比較大導(dǎo)致變壓器體積也較大。采用正反激拓?fù)淇梢詫畲拍芰繉?dǎo)入到輸出端解決了無功問題進(jìn)而可以減小勵磁電感降低變壓器體積。圖中電流波形分別為勵磁電流iLm1、無功電流idio1及輸出電流iLo1。

嚴(yán)格來講第三、第四點并不是這種等效雙管電路所獨有的特性。