1. 簡介
前文[ BUCK電路CCM與DCM的臨界條件是什么？ ]中介紹了DCM與CCM的臨界條件。此文，介紹輕載條件下DCM與CCM的差異...
2. 什么是“重載條件”和“輕載條件”？
參考前文[ BUCK電路CCM與DCM的臨界條件是什么？ ]，基于I（電流）值的“關(guān)鍵條件”重新表述如下：當 Iout>?iL/2 時，降壓電路工作在CCM模式；當 Iout=?iL/2 時，降壓電路工作在BCM模式；當 Iout<?iL/2 時，降壓電路工作在DCM模式。這里需要說明的是：在BUCK電路中， CCM模式下的負載電流或“I_OUT>?iL/2”條件，可以被稱為“重載電流”或“重載條件”；DCM模式下的負載電流或“I_OUT<?iL/2”條件，可以被稱為“輕載電流”或“輕載條件”。
3. 輕載條件下DCM和CCM的差異
（1）輕載條件下，非同步BUCK電路僅支持DCM模式，同步BUCK電路既支持DCM模式也支持CCM模式
圖 3.14 不同的BUCK電路能夠支持的工作模式也不同
圖 3.14所示，同時參考《開關(guān)電源寶典 降壓電路(BUCK)的原理與應用》“3.1.7.3 CCM模式與DCM模式的“關(guān)鍵條件”是什么？”章節(jié)內(nèi)容，對于確定的非同步或同步BUCK電路來說，重載條件（ I_OUT>?iL/2 ）下，電路都工作在CCM模式（不存在DCM模式）”，也就不存在CCM與DCM的差異。
對于非同步BUCK電路來說，低邊開關(guān)是續(xù)流二極管，不支持反向電流，所以無法實現(xiàn)輕載條件下的CCM模式，僅支持輕載條件（ I_OUT<?iL/2 ）下的DCM模式，所以也就不存在CCM與DCM的差異。
對于同步BUCK電路來說，其低邊MOSFET導通后，電流可以從源極流向漏極，也可以從漏極流向源極，也就是電流可以雙向流過。所以，同步BUCK電路既支持輕載條件（ I_OUT<?iL/2 ）下的DCM模式（低邊MOSFET關(guān)斷以阻止功率電感上的反向電流），也支持輕載條件（ I_OUT<?iL/2 ）下的CCM模式（低邊MOSFET導通以支持功率電感上的反向電流），這二者才具有可比性。
這里需要說明的是，同步BUCK電路輕載條件下的CCM模式需要控制器強制實現(xiàn)，因此這時的CCM確切地說是FCCM(Forced Continuous Conduction Mode)。
（2）同步BUCK電路輕載條件下，DCM模式的轉(zhuǎn)換效率更高
參考《開關(guān)電源寶典 降壓電路(BUCK)的原理與應用》“3.4.3.3 開關(guān)損耗（Switching Loss）”章節(jié)內(nèi)容，在同步BUCK電路中，高邊MOSFET和低邊MOSFET上的開關(guān)損耗計算公式分別為
和
同時，因為DCM模式的開關(guān)頻率比CCM模式更低，因此輕載條件下，DCM模式的開關(guān)損耗更小，對應的轉(zhuǎn)換效率也就更高。
（3）同步BUCK電路輕載條件下，CCM模式的紋波電壓更小
圖 3.15所示，參考《開關(guān)電源寶典 降壓電路(BUCK)的原理與應用》“3.2.4.5 輸出紋波電壓”章節(jié)內(nèi)容，BUCK電路輸出端紋波電壓的工程計算公式為
由此可見，在同等的輕載及其他條件下，DCM模式由于開關(guān)頻率更小，導致其紋波電壓更大，而CCM模式由于開關(guān)頻率更大，其紋波電壓更小。
圖 3.15 輕載條件下，CCM與DCM的紋波電壓波形
（4）同步BUCK電路輕載條件下，CCM模式的動態(tài)響應更快
圖 3.16所示，由于DCM模式的開關(guān)頻率更小，對應的動態(tài)響應也會更慢，結(jié)果就是對應的動態(tài)峰峰值（Dynamic Peak-Peak Voltage）DVpp也會更大。相反，CCM模式的開關(guān)頻率更大，動態(tài)響應更快，DVpp也就更小。
圖 3.16 輕載條件下，CCM模式的動態(tài)響應更快，DVpp更小
4. 小結(jié)
此文，介紹了如下兩點內(nèi)容：
1) 什么是“重載條件”和“輕載條件”？滿足“I_OUT>?iL/2”條件的是“重載電流”，滿足“I_OUT<?iL/2”條件的是“輕載電流”。
2) 輕載條件下DCM和CCM的四點差異，具體見正文內(nèi)容。
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