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暫無內(nèi)容
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HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
HOMSEMI
最新回復(fù)：2013-01-03 18:23
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HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
HOMSEMI
最新回復(fù)：2012-03-23 20:38
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HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
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最新回復(fù)：2012-03-21 10:20
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HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
HOMSEMI
最新回復(fù)：2012-03-21 10:15
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HOMSEMI 中低壓Power MOSFET 全面升級(jí)8英寸 0.18μm Trench工藝
HOMSEMI
最新回復(fù)：2012-02-21 13:45
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HOMSEMI
最新回復(fù)：2012-02-16 17:04
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HOMSEMI
最新回復(fù)：2012-02-14 13:43
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HOMSEMI
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POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
HOMSEMI
最新回復(fù)：2011-11-09 11:35
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現(xiàn)貨供應(yīng)HOMSEMI MOS管HS2N60/HS4N60/HS830DA/HS50N06
HOMSEMI
最新回復(fù)：2017-05-17 09:26
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HOMSEMI：
是的cheng111說的不錯(cuò),所以在一些更高電壓的場(chǎng)合我們會(huì)在GS之間再加一個(gè)12V或是15V的穩(wěn)壓管.=-30V是GS的極限電壓,實(shí)際應(yīng)用中12V的電壓就可以很地驅(qū)動(dòng)了
2011-11-29 22:00 回復(fù)
原帖：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
HOMSEMI：
用MCU加圖騰驅(qū)動(dòng)POWERMOSFET肯定是沒有問題.還要更正下的是,通常的大功率MOS管VGS都是+-30V的
2011-11-18 14:03 回復(fù)
原帖：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
HOMSEMI：
謝謝捧場(chǎng),HOMSEMI會(huì)繼續(xù)在電源網(wǎng)與大家一起分享我們的經(jīng)驗(yàn).也希望我可以拋磚引玉,得到各位同仁的指點(diǎn)不足
2011-11-17 09:30 回復(fù)
原帖：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
HOMSEMI：
謝謝支持,給了我一如既往做下去的動(dòng)力
2011-11-16 09:24 回復(fù)
原帖：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用實(shí)例
HOMSEMI：
歡迎咨詢。
2011-10-26 10:08 回復(fù)
原帖：現(xiàn)貨供應(yīng)HOMSEMI MOS管HS2N60/HS4N60/HS830DA/HS50N06
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