Emma_shen：
您只說(shuō)了部分，我詳細(xì)說(shuō)下我對(duì)功率MOSFET動(dòng)態(tài)特性的個(gè)人理解，以您的理解您覺(jué)得有紕漏可以補(bǔ)充。。。 如圖1所示連接并驅(qū)動(dòng)MOSFET，其中：up為矩形脈沖電壓信號(hào)源；Rs為信號(hào)源內(nèi)阻；RG為柵極電阻；RL為漏極負(fù)載電阻；RF用以檢測(cè)漏極電流； 如圖2所示為MOSFET的動(dòng)態(tài)工作波形：在MOSFET的開(kāi)通過(guò)程，由于MOSFET有輸入電容，因此當(dāng)脈沖電壓up的上升沿到來(lái)時(shí)，輸入電容有一個(gè)充電過(guò)程，柵極電壓uGS按指數(shù)曲線上升；當(dāng)uGS上升到開(kāi)啟電壓uT時(shí)，開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道并出現(xiàn)漏極電流iD；從up前沿時(shí)刻到uGS=uT，且開(kāi)始出現(xiàn)iD的時(shí)刻，這段時(shí)間稱為開(kāi)通延時(shí)時(shí)間td(on)；此后，iD隨uGS的上升而上升，uGS從開(kāi)啟電壓uT上升到MOSFET臨近飽和區(qū)的柵極電壓uGSP這段時(shí)間，稱為上升時(shí)間tr，即MOSFET的開(kāi)通時(shí)間ton=td(on)+tr。在MOSFET的關(guān)斷過(guò)程，當(dāng)up信號(hào)電壓下降到0時(shí)，柵極輸入電容上儲(chǔ)存的電荷通過(guò)電阻Rs和RG放電，使柵極電壓按指數(shù)曲線下降，當(dāng)下降到uGSP繼續(xù)下降時(shí)，iD才開(kāi)始減小，這段時(shí)間稱為關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)；此后，輸入電容繼續(xù)放電，uGS繼續(xù)下降，iD也繼續(xù)下降，到uGS