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不好意思，怎么看不到？

因?yàn)閟ense電阻與MOSFET源極之間的PCB引線電感、sense電阻自身寄生電感、MOSFET自身寄生電感與電阻引起的阻尼震蕩。

這個波形我也遇到過。我把這一點(diǎn)的峰值電壓除以采樣電阻阻值，與二極管的方向恢復(fù)電流比較，發(fā)現(xiàn)時間上兩者確實(shí)是同時出現(xiàn)的，但二極管的反向恢復(fù)電流要比這個峰值電流要小很多。所以，從實(shí)際波形上分析，我也認(rèn)為這個尖峰的出現(xiàn)，與MOSFET自身的特性有關(guān)，正如樓上說的，與其內(nèi)部寄生二極管的Irr，Coss的放電電流等。我在公司電腦上網(wǎng)，無法傳波形圖片，抱歉。

   有關(guān)于共模電感的測試標(biāo)準(zhǔn)，比如資料啊，應(yīng)用筆記啊，技術(shù)文章之類的，可以分享一下嗎？另外，我最近正在研究共模電感，然后也發(fā)現(xiàn)了一些問題，詳細(xì)見我發(fā)的一個帖子，鏈接是下面的網(wǎng)址：http://bbs.dianyuan.com/topic/1447330   若是能幫忙指點(diǎn)一下，感激不盡！

木有專家能指點(diǎn)一二嗎？有哪位網(wǎng)友用過SEPIC拓?fù)浠蛘唏詈想姼械模梢苑窒硪幌逻@方面的經(jīng)驗(yàn)么？[圖片][圖片][圖片]~~~~~~

   我覺得方法都不是固定的，但我可以跟你分享思考問題的一些基本原則：   首先你想測電壓和電流的紋波，你要有電壓探頭和電流探頭吧。你要用開機(jī)上電時輸入電壓的上升沿作為觸發(fā)信號。否則，示波器如何知道你的產(chǎn)品啥時候工作，并在屏幕上顯示呢？   然后，測紋波。這里有個問題，電流紋波跟電流平均值得比例太小，怎么辦呢？你只有把垂直分度（xxV/div）調(diào)小，才能看到更詳細(xì)精確的紋波啊。有兩種方法，方法一：你可以把電流探頭耦合方式設(shè)置交流耦合。方法二：你把被測示波器通道的OFFSET設(shè)置為電流波形的直流分量。在這兩種設(shè)置下，都可以將錘子分度調(diào)的很小，而且不影響整體波形的顯示。第二種方法比較適用于上電瞬間沖擊電流的測試。   最后，還有個問題，如何避免噪聲的干擾對紋波的影響？如果你測電壓紋波，建議你要用接地彈簧。如果你測電流，電流探頭沒有接地，可以調(diào)整示波器通道的濾波帶寬。TektronixPDO2012B的示波器，據(jù)我了解，可以設(shè)置的濾波帶寬好像是20MHz，或者是200MHz，我忘記了，總之，你是可以設(shè)置的。還有，TektronixPDO2012B無法直接帶動電流探頭，需要外接一個直流電源給電流探頭供電，插口位置在示波器右側(cè)。   以上，只是我的經(jīng)驗(yàn)分享，希望能幫到你一二，謝謝！

   先說一下我自己對此問題的想法。   首先，我認(rèn)為這兩個電感并未完全耦合，這通過我測出來的實(shí)際電感值并不等于理論計算的20uH可以得出（單個耦合電感的感值是10uH）。而且從實(shí)際波形上看，在電流上升緩慢的點(diǎn)，電感感值已經(jīng)超過了20uH很多了，這是個很奇怪的現(xiàn)象。電感的伏秒法則是最基本的原理，如果這一普遍原理沒有問題，那就是我思考問題的方式有問題。   其次，電感L1的電流上升斜率一直變大，而L2的上升斜率一直變小以致電流不增反減，我認(rèn)為這可能與兩個電感的充電方式有關(guān)：在開關(guān)管導(dǎo)通的情況下，L1直接由Vin充電，而L2是由耦合電容上的電壓充電，所以，我認(rèn)為L2的電流波形，肯定會跟耦合電容上的電壓有關(guān)。   最后，我認(rèn)為之所以L2電感電流上升到一定程度，不增反降，有可能跟耦合電感的磁芯磁通量飽和有關(guān)。因?yàn)長1的電流一直增大，當(dāng)兩個電感電流之和達(dá)到磁芯飽和時的電流時，因L1電流仍繼續(xù)增大，L2的電流只能減小。   針對上述我的想法，我會繼續(xù)做相關(guān)測試加以驗(yàn)證。若有進(jìn)展，也可以跟大家分享。另外，有沒有哪位大蝦指點(diǎn)一下分析此問題和解決此問題的思路？謝謝！

最近正在學(xué)習(xí)斜坡補(bǔ)償方面的問題，這個帖子真是對我?guī)椭罅?。頂起！?。?

嗯，最大Rds(on)能增大到多少呢？下圖是MOSFET的SOA區(qū)，左端斜向上升的曲線受限于最大Rds(on)。請問此時的的Rds(on) 會低于這個最大Rds(on)嗎，還是有可能比這個值更大？ 除了對著SOA區(qū)上的直線自己計算以外 ，最大 Rds(on) 在MOSFET規(guī)格書中哪里能看到？ [圖片]