伈佑：
這個(gè)公式可以說是單個(gè)開關(guān)周期內(nèi)建立電場(chǎng)Qg，一：個(gè)人不覺得這個(gè)是損耗，因?yàn)檫@個(gè)能力并沒有產(chǎn)生熱，只是通過GS電容存儲(chǔ)起來了，電子在Gate處聚集形成電場(chǎng)，在Doff時(shí)，能量是要通過偏置電阻泄放的，只能說MOS在驅(qū)動(dòng)時(shí)需要這個(gè)功率； 二、P=UI,i=Q/t=Q*f，所以P=U*Q*f，這個(gè)式子可否理解為我需要在一整個(gè)周期內(nèi)才建立Qg的電荷，必然造成相當(dāng)大的誤差，因?yàn)檫@個(gè)t此時(shí)不能用1/f來替代了，甚至可以根據(jù)設(shè)計(jì)者希望在多少時(shí)間內(nèi)（us）建立使MOS完全導(dǎo)通的電場(chǎng)。