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談?wù)剬捊麕iC和 GaN的優(yōu)缺點(diǎn)

          GaN功率器件具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,且制造成本得到控制,目前已經(jīng)在新能源汽車、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信和消費(fèi)電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用,由GaN制成的充電器可以做到更高的功率密度,隨著生產(chǎn)成本迅速下降,GaN快充有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。下面說說硅基器件于GaN的優(yōu)缺點(diǎn)。

    硅基器件的局限性:硅在功率電子領(lǐng)域長期占主導(dǎo),但它在處理高電壓、電流和頻率方面存在物理限制,已接近理論極限,難以進(jìn)一步提升效率和功率密度。寬禁帶器件的優(yōu)勢:SiC和氮化鎵GaN具有更高的品質(zhì)因數(shù)(FoM),在效率和功率密度方面表現(xiàn)更優(yōu)。與硅晶體管相比,    GaN 晶體管輸出電荷更低,無體二極管恢復(fù)問題,反向恢復(fù)電荷低,柵極電荷低,溫度系數(shù)低;SiC MOSFET 的反向恢復(fù)電荷低,導(dǎo)通電阻隨溫度變化小,輸出電荷低且更線性,柵極電荷低?;旌霞夹g(shù)的好處:將 SiC 和 GaN 技術(shù)與現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)相結(jié)合,能在效率、功率密度和整體性能方面帶來顯著優(yōu)勢。

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04-23 14:38

GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān),這樣可減小無源器件的尺寸,從而增加密度。

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04-23 19:25

SiC可以承受更高的電壓,最高可達(dá)1200V,適合高電壓應(yīng)用,目前儲(chǔ)能行業(yè)在批量使用

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tanb006
LV.10
4
04-24 10:37

導(dǎo)帶、禁帶、價(jià)帶都是什么意思呢?有老師來科普一下ma ?

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飛翔2004
LV.10
5
04-24 13:08

在 PFC 和 DC - DC 階段的整流環(huán)節(jié)使用硅功率開關(guān),這是因?yàn)樵谶@些環(huán)節(jié)中開關(guān)損耗極小。

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trllgh
LV.9
6
04-24 16:18
@大海的兒子
GaN可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān),這樣可減小無源器件的尺寸,從而增加密度。

與硅和碳化硅的相比,GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗,從而提高電源設(shè)計(jì)效率。

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htwdb
LV.7
7
04-24 21:40

目前氮化鎵GaN的性能優(yōu)勢就是效率高、元器件少節(jié)省空間,但成本優(yōu)勢遜色于碳化硅

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04-24 23:51

    硅基器件的局限性:硅在功率電子領(lǐng)域長期占主導(dǎo),但它在處理高電壓、電流和頻率方面存在物理限制,已接近理論極限,難以進(jìn)一步提升效率和功率密度,怎樣提升?

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only one
LV.8
9
04-25 00:03

:將 SiC 和 GaN 技術(shù)與現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)相結(jié)合,能在,效率可以提高多少?效率、功率密度和整體性能方面帶來顯著優(yōu)勢。

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spowergg
LV.10
10
04-25 13:10
@飛翔2004
在PFC和DC-DC階段的整流環(huán)節(jié)使用硅功率開關(guān),這是因?yàn)樵谶@些環(huán)節(jié)中開關(guān)損耗極小。

硅功率開關(guān)具有極低的導(dǎo)通電阻,能夠充分利用這一特性來最小化導(dǎo)通損耗,進(jìn)一步提升電源的效率。

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xxbw6868
LV.10
11
04-25 14:00

在實(shí)際的電源設(shè)計(jì)中,通過合理選擇硅功率開關(guān),可以有效降低整流過程中的能量損失,提高電源的整體性能。

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04-25 22:41

碳化硅還有很大的進(jìn)步空間

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only one
LV.8
13
04-25 23:58

,反向恢復(fù)電荷低,柵極電荷低,溫度系數(shù)低;SiC MOSFET 的反向恢復(fù)電荷低,導(dǎo)通電阻隨溫度變化小

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沈夜
LV.8
14
04-26 01:28

如何優(yōu)化GaN功率器件的制造工藝以降低成本?

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tanb006
LV.10
15
04-26 14:22
@方笑塵MK
SiC可以承受更高的電壓,最高可達(dá)1200V,適合高電壓應(yīng)用,目前儲(chǔ)能行業(yè)在批量使用

還有個(gè)優(yōu)點(diǎn),就是RCD吸收可以做的比較節(jié)能一點(diǎn),利用高壓去硬抗漏感,而不需要那么多能量消耗在R上了。

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dy-TMelSvc9
LV.8
16
04-26 14:32

如何結(jié)合不同器件的特點(diǎn)來設(shè)計(jì)電路應(yīng)用

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dy-StTIVH1p
LV.8
17
04-26 15:02

不同類型的器件的閾值傳輸曲線有什么不同

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dy-TMelSvc9
LV.8
18
04-26 15:17

不同能量密度條件下的輸出效率有什么不同

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dy-mb2U9pBf
LV.8
19
04-26 17:24

GaN器件可以做到更高的功率密度,隨著生產(chǎn)成本迅速下降,GaN有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。

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千影
LV.6
20
04-27 23:29

GaN相比Si基器件有哪些顯著優(yōu)勢?

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#回復(fù)內(nèi)容已被刪除#
21
spowergg
LV.10
22
05-12 13:30
@xxbw6868
在實(shí)際的電源設(shè)計(jì)中,通過合理選擇硅功率開關(guān),可以有效降低整流過程中的能量損失,提高電源的整體性能。

高頻 LLC 級(jí)采用了 CoolGaN 開關(guān),其較低的電容特性使得開關(guān)速度更快,能夠減少開關(guān)過程中的能量損耗。

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旻旻旻
LV.8
23
05-14 22:14

GaN 材料在某些工作條件下可能會(huì)出現(xiàn)性能退化或不穩(wěn)定的情況,例如在高電壓和高電流應(yīng)力下,可能會(huì)發(fā)生材料的損傷或性能參數(shù)的變化

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05-26 10:07

GaN晶體管輸出電荷更低,無體二極管恢復(fù)問,有優(yōu)勢

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dy-XU5vrphW
LV.8
25
05-26 17:45

不同電壓下器件的表現(xiàn)是否有區(qū)別

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dy-nmLUWFNr
LV.8
26
05-26 21:35

這個(gè)電源的信號(hào)傳輸有哪些特點(diǎn)

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dy-StTIVH1p
LV.8
27
05-26 22:24

不同器件的適用領(lǐng)域不同

0
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dy-TMelSvc9
LV.8
28
05-26 23:06

不同電壓下器件的輸出有什么不同

0
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dy-TMelSvc9
LV.8
29
05-26 23:22

信號(hào)傳輸過程中是否會(huì)產(chǎn)生干擾

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