GaN功率器件具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，且制造成本得到控制，目前已經(jīng)在新能源汽車、半導(dǎo)體照明、新一代移動通信和消費電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，由GaN制成的充電器可以做到更高的功率密度，隨著生產(chǎn)成本迅速下降，GaN快充有望成為消費電子領(lǐng)域下一個殺手級應(yīng)用。下面說說硅基器件于GaN的優(yōu)缺點。
硅基器件的局限性：硅在功率電子領(lǐng)域長期占主導(dǎo)，但它在處理高電壓、電流和頻率方面存在物理限制，已接近理論極限，難以進一步提升效率和功率密度。寬禁帶器件的優(yōu)勢：SiC和氮化鎵GaN具有更高的品質(zhì)因數(shù)（FoM），在效率和功率密度方面表現(xiàn)更優(yōu)。與硅晶體管相比， GaN 晶體管輸出電荷更低，無體二極管恢復(fù)問題，反向恢復(fù)電荷低，柵極電荷低，溫度系數(shù)低；SiC MOSFET 的反向恢復(fù)電荷低，導(dǎo)通電阻隨溫度變化小，輸出電荷低且更線性，柵極電荷低。混合技術(shù)的好處：將 SiC 和 GaN 技術(shù)與現(xiàn)有的硅基設(shè)計相結(jié)合，能在效率、功率密度和整體性能方面帶來顯著優(yōu)勢。
