GaN功率器件具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,且制造成本得到控制,目前已經(jīng)在新能源汽車、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信和消費(fèi)電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用,由GaN制成的充電器可以做到更高的功率密度,隨著生產(chǎn)成本迅速下降,GaN快充有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用。下面說說硅基器件于GaN的優(yōu)缺點(diǎn)。
硅基器件的局限性:硅在功率電子領(lǐng)域長期占主導(dǎo),但它在處理高電壓、電流和頻率方面存在物理限制,已接近理論極限,難以進(jìn)一步提升效率和功率密度。寬禁帶器件的優(yōu)勢:SiC和氮化鎵GaN具有更高的品質(zhì)因數(shù)(FoM),在效率和功率密度方面表現(xiàn)更優(yōu)。與硅晶體管相比, GaN 晶體管輸出電荷更低,無體二極管恢復(fù)問題,反向恢復(fù)電荷低,柵極電荷低,溫度系數(shù)低;SiC MOSFET 的反向恢復(fù)電荷低,導(dǎo)通電阻隨溫度變化小,輸出電荷低且更線性,柵極電荷低?;旌霞夹g(shù)的好處:將 SiC 和 GaN 技術(shù)與現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)相結(jié)合,能在效率、功率密度和整體性能方面帶來顯著優(yōu)勢。