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時(shí)間過去，越發(fā)覺得其實(shí)我們原來規(guī)劃的東西，都不會(huì)按著所謂的腳本發(fā)生，總會(huì)有幺蛾子冒出來，人生可能就是隨波逐流中，去抓住每個(gè)階段你覺得「最好」的東西，取舍之后再和朋友擼著串兒、吹牛說：「老子可是牛逼了一把！」

我覺得這個(gè)問題其實(shí)已經(jīng)講清楚了，因?yàn)樵撎拥闹黝}是“為什么晶體底下要挖空，且不能走線”，我所提到的幾個(gè)具體文檔并不是泛泛的在談什么LAYOUT規(guī)則，而是定量的計(jì)算和分析寄生電容對系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響，如果可以，我想aquasnake兄弟找到看看后再討論會(huì)比較有幫助，另外不知道aquasnake兄弟做的是哪個(gè)手機(jī)RF方案，就像16樓所說的，做簡單的實(shí)驗(yàn)就可以了解寄生電容對AFC調(diào)諧范圍，系統(tǒng)校準(zhǔn)和手機(jī)RF指標(biāo)的影響。此外，糾正一下計(jì)算的錯(cuò)誤4,200個(gè)PPM就是200/100,000=1/500;那么32.768K/500=65.536,32.768K+-65.536/2~=32.735~32.801K的精度,不變有效位數(shù)只到KHZ,示波器足夠可以測到RTC200PPM的頻率漂移PPM是百萬分之一，所以200PPM=1/5000  32.768K/5000=6.55Hz有效位數(shù)需要至少到Hz,而不是到KHz，我用過的示波器是達(dá)不到的。

再有

另外,如果你有ORCAD檔的原始設(shè)計(jì)電路圖,請看一下負(fù)載電容的屬性里面,Description是否是選用NPO(+-5%)的電容?我一般選X7R(+-10%)足矣.而寄生電容在同一批次洗板的PCB中幾乎是相同的,還不如電容溫漂的影響大,況且此寄生電容數(shù)值是固定的\\已知的,把此影響無限擴(kuò)大就顯得對設(shè)計(jì)的不自信,豈非舍本逐末?有些IC沒有內(nèi)部PLL,需要外接CLK_IN,這樣,就只能接有源晶振,此時(shí)對負(fù)載電容的要求嚴(yán)格些.但主題并非是談?wù)撠?fù)載電容的選取方法,而是某RD提出的寄生電容的說法.個(gè)人不以為然

1.  LAYOUTAPPNOTE都類似2.主題并沒有限制RF還是RTC的晶振,既然是分析透徹,就不需要用排除法來區(qū)別看待.如果只是說PCBLAYOUT,哪怕是RTC晶振都應(yīng)該符合1的APPNOTE.不管如何,挖空都是需要避免的.3.寄生電容能夠大到另OSC無法震蕩?所以你在駁一個(gè)不可能出現(xiàn)的情況,我說過了AFC靠IC里面的PLL,不是靠LOADCAP,LOADCAP給出一個(gè)適合OSC起震的環(huán)境.4,200個(gè)PPM就是200/100,000=1/500;那么32.768K/500=65.536,32.768K+-65.536/2~=32.735~32.801K的精度,不變有效位數(shù)只到KHZ,示波器足夠可以測到RTC200PPM的頻率漂移

另外以下這段說明是從AERO?IITRANSCEIVERDESIGNGUIDE中截出來的，供參考，示范Layout我不知道怎么貼圖，沒法放上來了。另外，我同意你對寄生電容量級的說法，沒有那么大，一般一個(gè)腳的寄生電容應(yīng)該在1-2pF左右。3.2.1.DCXOCrystalPCBLayoutThecrystalshouldbeplacedclosetotheICandnotnearthepoweramplifier.Thegroundplaneshouldalsoberemovedtoatleast250μmbelowthecrystaltominimizethestrayloadingcapacitanceofthedevicepads.Usethecrystalvendor\'srecommendedPCBfootprint.Figure7illustratestherecommendedPCBlayout.

第四，測量輸出頻率的精度如果你要求看到多少多少PPM用示波器是無法做到的，用示波器只能看個(gè)波形和大致頻率，如果你要測量是否滿足精度要求應(yīng)該用頻率計(jì)數(shù)器，對于示波器，就算測量32.768K的RTC時(shí)鐘，200個(gè)PPM的偏差都看不出來的。當(dāng)然，也有可能是現(xiàn)在有足夠好的示波器可以量到很準(zhǔn)的頻率，這一點(diǎn)請指教。（當(dāng)然，如果Agilent有，可以告知哪個(gè)型號最好了）。

第二，我們這個(gè)討論大多針對DCXO模式，同時(shí)主要是指26MHz或13MHz的Crystal的Layout來談。這里是射頻版，所以32.768K并不在主要考慮之列。32.768K相鄰層挖不挖空確實(shí)無大礙。第三，寄生電容的壞處常常并不是直接表現(xiàn)在令你的Crystal無法起振，而是導(dǎo)致你AFC的可調(diào)范圍變小。因?yàn)槲夷J(rèn)大家都在討論的是RF的VC-TCXO或者使用DCXO時(shí)的Crystal的layout,要注意GSM標(biāo)準(zhǔn)中0.1ppm的頻率精度要求不靠AFC是無法達(dá)到的

首先說明純技術(shù)討論，樓上的兄弟不要急。第一，你需要可操作的實(shí)際方法，那就以Siliconlab的TransceiverSi4210為例，有專門的applicationnoteAN152-SELECTINGACRYSTALFORAERO?IIDESIGNS供參考，同時(shí)有一個(gè)EXCEL的文檔專門計(jì)算寄生電容及其他參數(shù)是否會(huì)導(dǎo)致設(shè)計(jì)失效供參考，我想Siliconlabs的Transceiver很多大廠都有用過，你應(yīng)該也比較容易找到這些文檔來看到可操作的實(shí)際方法。當(dāng)然，我記得MTK也有一份RFlayout的PPT有談到這個(gè)，如果你是有LICENSE的MTK方案用戶，也可以找他們拿到。