英飛凌在2018年上半年推出了基于IGBT6技術(shù)的1200V單管IGBT，1200V TRENCHSTOP? IGBT6發(fā)布了2個產(chǎn)品系列：優(yōu)化導(dǎo)通損耗-S6系列和優(yōu)化開關(guān)損耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 S6系列集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)1.85 V，導(dǎo)通損耗低，并且擁有與HighSpeed3 H3系列相同的低開關(guān)損耗。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 H6則進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)損耗，相比于上一代HighSpeed3 H3系列，總開關(guān)損耗降低約15%。英飛凌推出的超薄晶圓TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)可進(jìn)一步縮小芯片尺寸、提高功率密度。英飛凌率先將40A 650V IGBT和40A二極管封裝在D2PAK，相比于其他競爭對手30A 雙芯片IGBT產(chǎn)品，其額定電流值提高了25%。對于這兩款最新產(chǎn)品，英飛凌分別做了2個手提式焊機(jī)的樣機(jī)供大家參考，本次Webinar向大家詳細(xì)介紹了如何用這兩種高功率密度的單管IGBT設(shè)計(jì)高效，高功率密度，輕便以及低成本的手提式焊機(jī)產(chǎn)品。