美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punchthrough，NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulatedbipolargatetransistors，IGBT)產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專(zhuān)為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。

美高森美新的功率器件通過(guò)提供業(yè)界最佳的損耗性能來(lái)改進(jìn)效率，與最接近競(jìng)爭(zhēng)廠商的IGBT產(chǎn)品相比，效率提高了大約8%。新的NPTIGBT器件還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)150kHz的極高開(kāi)關(guān)速率，在與美高森美的碳化硅(siliconcarbide，SiC)續(xù)流二極管(free-wheelingdiode)配對(duì)使用時(shí)，開(kāi)關(guān)速率可以獲得進(jìn)一步提高。針對(duì)最高150KHz的較低速率應(yīng)用，這些領(lǐng)先的650VNPTIGBT通過(guò)替代成本更高的600V至650VMOSFET器件，可讓開(kāi)發(fā)人員降低總體系統(tǒng)成本。

下一代650V產(chǎn)品系列中的所有器件都基于美高森美先進(jìn)的PowerMOS8?技術(shù)，并且采用了最先進(jìn)的晶圓薄化(waferthinning)工藝。與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，顯著降低了總體開(kāi)關(guān)損耗，并且可讓器件在難以置信的快速開(kāi)關(guān)頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場(chǎng)的豐富傳統(tǒng)，美高森美期望擴(kuò)大IGBT市場(chǎng)份額，根據(jù)YoleDéveloppement最新報(bào)告，這個(gè)市場(chǎng)正從現(xiàn)今的36億美元增長(zhǎng)到2018年的60億美元。

這些NPTIGBT器件易于并聯(lián)(Vcesat正溫度系數(shù))，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時(shí)間(shortcircuitwithstandtimerated，SCWT)，可以在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運(yùn)作。

新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模塊。