意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出全新M系列1200V IGBT，以先進(jìn)的溝柵式場截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機(jī) (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器等多項目標(biāo)應(yīng)用的能效和可靠性。

高度優(yōu)化的導(dǎo)通性和關(guān)斷性以及低導(dǎo)通損耗 (low turn-on loss)，讓全新的改進(jìn)型IGBT 特別適用于執(zhí)行工作頻率高達(dá)20kHz的硬開關(guān)電路 (hard-switching circuit);最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍 (SOA, safe operating area) 無閉鎖效應(yīng) (latch-up free)，150°C 時的短路耐受時間 (short-circuit withstand time) 為10μs，這些特性確保新產(chǎn)品在惡劣的外部電氣環(huán)境中具有更高的可靠性。

新產(chǎn)品所用的第三代技術(shù)包括新的先進(jìn)的溝柵結(jié)構(gòu)設(shè)計和優(yōu)化的高壓IGBT架構(gòu)，可以最大限度地降低電壓過沖 (voltage overshoot)，消除關(guān)斷期間出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象 (oscillation)，有效降低電能損耗，簡化電路設(shè)計。與此同時，低飽和電壓 (Vce (sat)) 可確保新產(chǎn)品具有很高的導(dǎo)通能效。正溫度系數(shù)和窄飽和電壓范圍可簡化新產(chǎn)品并聯(lián)設(shè)計，有助于提高功率處理能力。

新產(chǎn)品還受益于提升的導(dǎo)通能效。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向并聯(lián) (anti-parallel) 的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復(fù)時間和增強(qiáng)的恢復(fù)軟度特性，且導(dǎo)通損耗沒有明顯上升，進(jìn)而實現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。

40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產(chǎn)品采用TO-247長引腳封裝，目前均已開始量產(chǎn)。