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Ampleon于EDI CON展出LDMOS和GaN RF PA產(chǎn)品方案

2017-04-17 09:54 來源:Ampleon 編輯:電源網(wǎng)

安譜隆半導體Ampleon)今日宣布,該公司即將參加將于2017425日至27日在中國上海舉行的電子設計創(chuàng)新大會(EDI CON)。

Ampleon將于EDI CON展示LDMOS和GaN RF PA產(chǎn)品組合及大功率RF解決方案

Ampleon將于243號展臺展示其最新的、適用于移動寬頻、廣播、工業(yè)、雷達和航空電子設備以及RF能量應用的RF放大器器件和模塊。產(chǎn)品演示包括400W S波段托盤、900W UHF廣播設計和2,000W 127MHz ISM頻帶示例。此外,集成有面向射頻能量應用的傳感功能的433MHz、200W托盤也將進行展示。

AmpleonLDMOS產(chǎn)品組合包括寬帶器件、Doherty放大器晶體管、極其堅固耐用、專為工業(yè)、科學、及其醫(yī)療等應用設計的大功率器件,以及適用于民用雷達的晶體管。SiCGaN鏈路產(chǎn)品包括大功率寬帶器件和前級驅(qū)動器件。

除了其最新產(chǎn)品和解決方案的完整陣容外,Ampleon的工作人員還將積極參與會議計劃,包括作為射頻能量聯(lián)盟的聯(lián)合創(chuàng)始人參加的小組會議。

425日星期二下午1:50,Ampleon合肥半導體公司常務董事陳平路,將參加射頻能量聯(lián)盟題為2017年的固態(tài)射頻能量:量的突破終于來到,不是嗎?”的小組研討會。

426日星期三下午1:45,Ampleon公司高級RF工程師Francis Auvray將主持一場關于面向5G應用的20W全集成3.5GHz GaN Doherty MMIC的研討會。

此外,426日星期三,Ampleon公司研發(fā)/技術部高級副總裁Nick Pulsford將于下午1:45參與探討移動基礎設施的發(fā)展趨勢。

此外,該公司當?shù)胤咒N合作伙伴——鼎芯(DXY)、飛環(huán)電子和天圣華科技的工作人員,也將與Ampleon一起在展臺上展出。

標簽: LDMOS GaN RF

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