中國上海，2025年9月25日——全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環(huán)節(jié)的便利性。

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer表示：“我們很高興能夠通過與羅姆的合作進一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作將為客戶在設計和采購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助于開發(fā)出能夠推動低碳進程的高能效應用方案。”

羅姆董事兼常務執(zhí)行官 功率器件事業(yè)部負責人伊野和英表示：“羅姆的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助于拓展我們的解決方案組合，同時也是實現(xiàn)這一目標的重要一步。我們期待通過此次合作，能夠在推進協(xié)同創(chuàng)新的同時降低復雜性，進一步提升客戶滿意度，共同開拓功率電子行業(yè)的未來。”

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁　Peter Wawer（左）

羅姆董事兼常務執(zhí)行官 伊野和英（右）

作為此次合作的一部分，羅姆將采用英飛凌創(chuàng)新的SiC頂部散熱平臺（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。該平臺將所有封裝統(tǒng)一為2.3mm的標準化高度，不僅簡化設計流程、降低散熱系統(tǒng)成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達兩倍。  

同時，英飛凌將采用羅姆的半橋結(jié)構(gòu)SiC模塊“DOT-247”，并開發(fā)兼容封裝。這將使英飛凌新發(fā)布的Double TO-247 IGBT產(chǎn)品組合新增SiC半橋解決方案。羅姆先進的DOT-247封裝相比傳統(tǒng)分立器件封裝，可實現(xiàn)更高功率密度與設計自由度。其采用將兩個TO-247封裝連接的獨特結(jié)構(gòu)，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑借這些特性，該封裝的功率密度達到TO-247封裝的2.3倍。

羅姆與英飛凌計劃今后將不僅在硅基封裝，還將在SiC、GaN等各類封裝領域進一步擴大合作。此舉也將進一步深化雙方的合作關(guān)系，為用戶提供更廣泛的解決方案與采購選擇。

SiC功率器件通過更高效的電力轉(zhuǎn)換，不僅增強了高功率應用的性能表現(xiàn)，在嚴苛環(huán)境下展現(xiàn)出卓越的可靠性與堅固性，同時還使更加小型化的設計成為可能。借助羅姆與英飛凌的SiC功率器件，用戶可為電動汽車充電、可再生能源系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)中心等應用開發(fā)高能效解決方案，實現(xiàn)更高功率密度。

關(guān)于羅姆

羅姆是成立于1958年的半導體電子元器件制造商。通過鋪設到全球的開發(fā)與銷售網(wǎng)絡，為汽車和工業(yè)設備市場以及消費電子、通信設備等眾多市場提供高品質(zhì)和高可靠性的IC、分立半導體和電子元器件產(chǎn)品。在羅姆自身擅長的功率電子領域和模擬領域，羅姆的優(yōu)勢是提供包括碳化硅功率元器件及充分地發(fā)揮其性能的驅(qū)動IC、以及晶體管、二極管、電阻器等外圍元器件在內(nèi)的系統(tǒng)整體的優(yōu)化解決方案。進一步了解詳情，歡迎訪問羅姆官方網(wǎng)站：https://www.rohm.com.cn/

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。進一步了解詳情，歡迎訪問官方網(wǎng)站 https://www.infineon.cn