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技能補(bǔ)給站|可控硅調(diào)光開(kāi)關(guān)電路原理圖

2018-11-23 10:08 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 編輯:niko

當(dāng)兩個(gè)電極間的電壓“正?!辈⑶议T(mén)上幾乎沒(méi)電壓時(shí),三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)就會(huì)成為一個(gè)打開(kāi)的開(kāi)關(guān)——它不會(huì)導(dǎo)電。這是因?yàn)閬?lái)自N型材料的電子沿著P型材料的邊緣進(jìn)入空穴,產(chǎn)生一個(gè)耗盡區(qū),即一處幾乎沒(méi)有自由電子和空穴的區(qū)域。

如果您給門(mén)提供足夠強(qiáng)勁的電壓,它就會(huì)破壞耗盡區(qū),使電子能夠通過(guò)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)移動(dòng)。確切的次序隨著電流的方向(也就是處于交流電周期的那個(gè)部分)而改變。我們可以這樣理解:因?yàn)殡娏髟诹鲃?dòng),所以上接頭是陰極而下接頭則為陽(yáng)極。這樣的電路安排使門(mén)上增加的電壓將與上接頭承載相同的電荷。因此我們可以得出類似于以下的結(jié)論:

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當(dāng)門(mén)在“充電”時(shí),門(mén)和下接頭間的電壓差變得足夠大,使得電子在它們之間開(kāi)始移動(dòng)。從N型材料(e 區(qū))移出的電子破壞了e區(qū)和d區(qū)之間的耗盡區(qū)。接著電壓差把更多的自由電子帶到d區(qū),破壞了d區(qū)和c區(qū)之間的耗盡區(qū)。來(lái)自c 區(qū)的電子會(huì)朝著下接頭移動(dòng),在d區(qū)的空穴之間跳動(dòng)。這也給c區(qū)帶來(lái)了更多的空穴,使電子可以從c區(qū)和b區(qū)之間的耗盡區(qū)移出來(lái)。這里的電壓很強(qiáng),足以把電子從a區(qū)帶到b區(qū)的空穴中,破壞最后一個(gè)耗盡區(qū)。隨著耗盡區(qū)的消失,電子可以在上接頭和下接頭間自由移動(dòng),三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)此時(shí)開(kāi)始導(dǎo)電?。ㄗ⒁猓撼巳穗p向可控硅開(kāi)關(guān)之外,一些調(diào)光開(kāi)關(guān)還包含一個(gè)類似的半導(dǎo)體裝置,稱為兩端交流開(kāi)關(guān)。這些電路的工作原理都基本相同。)

為了讓三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)開(kāi)始傳導(dǎo)兩個(gè)電極間的電流,門(mén)上需要有一個(gè)升壓器。這個(gè)必需的電壓水平不會(huì)改變,但是您可以調(diào)節(jié)從門(mén)開(kāi)始“充電”到達(dá)到這一電壓所需要的時(shí)間。此時(shí)就需要可變電阻器和觸發(fā)電容發(fā)揮作用。

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電流通過(guò)可變電阻器給觸發(fā)電容充電(電流在電容板上累積電荷——有關(guān)更多信息,請(qǐng)參見(jiàn)電容器工作原理)。當(dāng)電容積聚一定的電量,它就有足夠的電壓把電流從門(mén)傳導(dǎo)至下接頭。當(dāng)它開(kāi)始放電,三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)就開(kāi)始導(dǎo)電。

以可變電阻器上的接觸臂(或接觸板)為中心旋轉(zhuǎn)調(diào)光開(kāi)關(guān)上的旋鈕,可以增加或減少總的電阻。當(dāng)旋鈕設(shè)定在“變暗”時(shí),可變電阻器會(huì)提供更多的電阻來(lái)“阻止”電流。因此,所需的增壓電壓就無(wú)法像在觸發(fā)電容上那樣迅速地累積。當(dāng)電容充了足夠的電量使三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)開(kāi)始導(dǎo)電時(shí),交流電流的周期就開(kāi)始正常進(jìn)行。如果您把旋鈕轉(zhuǎn)向另一個(gè)方向,可變電阻器會(huì)減少阻力,電容就能在周期的伊始即得到所需的增壓電壓。

一旦電流波動(dòng)回到零電壓,三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)中便沒(méi)有電流通過(guò),電子也會(huì)停止移動(dòng)。耗盡區(qū)再次形成,三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)停止導(dǎo)電,直到增壓電壓在門(mén)上重新累積。

這個(gè)系統(tǒng)運(yùn)作得非常好,但也產(chǎn)生了一個(gè)奇怪的問(wèn)題:它常常會(huì)在燈泡里產(chǎn)生一種明顯的蜂鳴聲。在接下來(lái)的部分,我們會(huì)尋找根源所在。

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