充電IC隨著NB的演化,不斷的在更新。 除了基本的充電功能外,適時的提供電池能量混搭適配器一起供給系統(tǒng)用電，已是必備的功能。 架構(gòu)上大致上有NVDC (Narrow VDC), HPB(Hybrid Power Boost), Buck-Boost Charger三種架構(gòu)。 其中又屬HPB(Hybrid Power Boost)最受歡迎。 即使Buck-Boost Charger 隨著USB PD的推廣,其(HPB)數(shù)量上仍與其不分上下。主要的原因是成本低及VIN (VSYS)為相對高壓供電。在中低階及電競機種仍受歡迎。在HPB (Hybrid Power Boost)的Charger IC,O2Micro仍持續(xù)推出新功能的產(chǎn)品，滿足客戶的設(shè)計需求。

OZ26786是2019Q1推出的新產(chǎn)品,與上一代量產(chǎn)的OZ26782為pin to pin。 設(shè)計上更彈性。 主要差異是OZ26786增加了三組緩存器(寄存器),讓適配器的電流保護(hù)更加彈性及精確。

(圖一)

現(xiàn)在的NB電源設(shè)計,為求極致運算效能及低成本下,工程師可以說是想盡辦法從各個可能的地方找出能量。 而在過程中,常會挑戰(zhàn)到適配器保護(hù)機制。 OZ26786提供了兩組Programmable Adapter OCP level供PROCHOT#信號使用。 且其電流設(shè)定由6 bit DAC來做線性調(diào)整,讓用戶有更多選擇。

(圖二)

適配器的過電流保護(hù)設(shè)計,通常是隨著過電流的比例增加,延遲保護(hù)的時間變短。 在面對多變的系統(tǒng)“l(fā)oading”設(shè)計上,工程師往往只能透過拉低Adapter OCP level for PROCHOT#的準(zhǔn)位,來避免”突來的短暫系統(tǒng)大電流”觸發(fā)到適配器保護(hù)點而斷電。  

其實在這樣的調(diào)整下,雖然避免了觸發(fā)適配器的保護(hù),但也犧牲了系統(tǒng)的效能。 為此, 凹凸科技(O2Micro)的OZ26786提供高低兩階的準(zhǔn)位設(shè)定。 在高電流的設(shè)定準(zhǔn)位有較短的延遲保護(hù)時間,較低的電流準(zhǔn)位則較長。 如此系統(tǒng)可以不用因為短暫的大電流,而調(diào)低適配器警示(PROCHOT#)電流準(zhǔn)位。 進(jìn)而提升系統(tǒng)效能。

實際應(yīng)用案例: 系統(tǒng)上最大的負(fù)載,莫過于CPU及GPU chipset。 而它們的負(fù)載表現(xiàn),除了持續(xù)的平均值外,還包含了峰值電流。 我們透過外接的電子負(fù)載 (1.5A load)來仿真持續(xù)的系統(tǒng)負(fù)載,再加上執(zhí)行3DMark程序。

在使用原始充電IC設(shè)計,僅單一個適配器電流準(zhǔn)位的警示(PROCHOT#)功能。 其PROCHOT#是頻繁的被觸發(fā)(圖三)。 跑出的3DMark分?jǐn)?shù)為P14161(圖四)。

(圖三)

(圖四)

而在充電IC改成OZ26786后,PROCHOT#罕有被觸發(fā)行為(圖五)。其最終跑出了P17045 (圖六)高分。分?jǐn)?shù)落差將近3000分。這是充分利用精確的保護(hù)機制,提升系統(tǒng)效能的鮮明例子。

(圖五)

(圖六)

過去二十余年在充電IC領(lǐng)域的琢磨,讓我們累積了相當(dāng)多的寶貴經(jīng)驗。 我們也持續(xù)的貼近市場,了解需求,與時俱進(jìn)。 凹凸科技(O2Micro)非常重視知識產(chǎn)權(quán)的開發(fā)和保護(hù),擁有廣泛且大量的芯片及其應(yīng)用領(lǐng)域的國際發(fā)明專利和為數(shù)眾多的注冊商標(biāo)以及其他相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。 凹凸科技(O2Micro)憑借全球領(lǐng)先的電源管理系統(tǒng)架構(gòu)、豐厚的專利積累、快速的市場響應(yīng)能力、極其嚴(yán)密謹(jǐn)慎的質(zhì)量管控、牢固的客戶關(guān)系及在業(yè)內(nèi)良好的聲譽，贏得了與眾多國內(nèi)外知名廠商的合作機會，期望提供更多的有價值、 飽含創(chuàng)新的的產(chǎn)品給客戶。  

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