英飛凌是全球首個(gè)碳化硅分立電源供應(yīng)商。碳化硅材料與硅材料的特性差異限制了100V-150V實(shí)際硅單極二極管（肖特基二極管）的制造，導(dǎo)通電阻和漏電流相對(duì)較高。在碳化硅材料中，肖特基二極管可以達(dá)到更高的擊穿電壓。英飛凌碳化硅產(chǎn)品系列覆蓋 600V 和 650V 到 1200V 的肖特基二極管。

CoolSiC? MOSFET是首款產(chǎn)品面向光伏逆變器、電池充電設(shè)備及儲(chǔ)能裝置。英飛凌目前提供最大1200伏的CoolSiC? 碳化硅(SiC) MOSFET。SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)包括1200V級(jí)開(kāi)關(guān)中最低的門(mén)極電荷和器件電容電平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、低切換損耗不受溫度影響以及無(wú)閾值導(dǎo)通特性。

CoolSiC? 混合模塊目前覆蓋650V、1200V?；?CoolSiC? 的模塊（包括采用半橋的碳化硅晶體管）完善了電源設(shè)計(jì)的選項(xiàng)。除提供更高的開(kāi)關(guān)頻率外，由于碳化硅JFET具有雙向?qū)芰?，所以該模塊具有很高的靈活性。因此，它可以用作升壓/降壓、雙向轉(zhuǎn)換器或逆變器的一部分。無(wú)論應(yīng)用程序的功率如何，因給凌的電源模塊碳化硅產(chǎn)品系列都可以實(shí)現(xiàn)更高效的設(shè)計(jì)，可以覆蓋從類(lèi)似 EasyPACK? 1B/2B 的封裝到類(lèi)似 PrimePACK?的更大封裝。

英飛凌全力研發(fā)推出CoolSiC?半導(dǎo)體解決方案，將為以下幾大重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)全新突破：

光伏：更高效的利用能源，使轉(zhuǎn)化效率提高至99％以上

電動(dòng)車(chē)充電：提高功率密度、減輕重量、縮小體積，30分鐘完成充電，續(xù)航達(dá)500公里

電機(jī)領(lǐng)域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，有望減少55%的逆變器體積及重量

電源應(yīng)用：提高功率密度和效率，提升性能及可靠性

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意法半導(dǎo)體（ST）

意法半導(dǎo)體從1996年開(kāi)始從事碳化硅技術(shù)研發(fā)。并于2004年開(kāi)始生產(chǎn)其首款SiC二極管。2009年，意法半導(dǎo)體的第一款 SiC MOSFET投產(chǎn)，此后又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極管，以完善原來(lái)的650V產(chǎn)品組合。

意法半導(dǎo)體的碳化硅二極管產(chǎn)品系列電壓范圍從600到1200 V，包括單、雙二極管。它們有多種封裝，從DPAK到TO-247以及絕緣的TO-220AB/AC，為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性，具有高效、穩(wěn)定和快速投放市場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)。相比于硅，碳化硅有優(yōu)越的物理屬性，SiC肖特基整流器具有好于4倍的動(dòng)態(tài)特性和降低15%的前向電壓（VF）。意法半導(dǎo)體的SiC二極管顯示了顯著的功耗降低，通常用于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高端服務(wù)器和電信供電，它還能用于太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無(wú)中斷供電（UPS）。ST 的汽車(chē)級(jí)650 V SiC二極管–具有AEC-Q101認(rèn)證和PPAP能力–具有市場(chǎng)上最低的前向壓降（VF），在電動(dòng)車(chē)輛（EV）應(yīng)用中具有最優(yōu)的效率。

650 V至1700 V碳化硅MOSFET具有行業(yè)內(nèi)最高的溫度額定值200℃，即使在高溫條件下，其RDS（on）的變化也非常小。采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-100 ~ 1700 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻?？偣β蕮p耗顯著降低，令系統(tǒng)更有效、更小、更輕。即使在高溫時(shí)，它們也具有每區(qū)域超低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻，與最佳的硅技術(shù)相比，它們有卓越的開(kāi)關(guān)性能，隨溫度變化最小。

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科銳（Cree）

Wolfspeed是SiC肖特基二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）分立元件以及模塊的先驅(qū)公司，提供從900V到1700V的全系列SiC產(chǎn)品。不同于其它制造商（如羅姆）采用溝槽結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)1200V產(chǎn)品和采用平面結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)1700V產(chǎn)品，Wolfspeed則采用平面結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)所有電壓的產(chǎn)品。而且，Cree能夠?qū)崿F(xiàn)獨(dú)特的三重（triple implantation）注入工藝和硅化物源極觸點(diǎn)，以提高接觸電阻。

作為SiC市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊，并且作為第一家能生產(chǎn)75mm，100mm和現(xiàn)在的150mm SiC晶圓的企業(yè)，Wolfspeed（科銳）提供了絕大部分正在使用的SiC晶圓，在業(yè)內(nèi)地位超絕?？其J旗下電源和RF部門(mén)Wolfspeed同羅姆一樣，垂直整合了從襯底到模組的SiC功率半導(dǎo)體。 Wolfspeed擁有最廣泛的SiC肖特基二極管產(chǎn)品組合，擁有超過(guò)6萬(wàn)億小時(shí)的工作時(shí)間，最低的FIT率，以及30多年的碳化硅經(jīng)驗(yàn)，以及最快的交付時(shí)間。二極管采用MPS（Merged PiN Schottky）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固可靠。將Wolfspeed SiC二極管與SiC MOSFET配對(duì)可以在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)實(shí)現(xiàn)更高效率和更低元件價(jià)格的強(qiáng)大組合。

Wolfspeed MOSFET可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，并減小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。SiC MOSFET替代硅器件具有更高的阻斷電壓（> 1700V），額定電流> 1800V的雪崩以及更低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。應(yīng)用在太陽(yáng)能、電動(dòng)車(chē)充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、IT電源、運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域

Wolfspeed是一家完全集成的材料供應(yīng)商，擁有最大和最多樣化的產(chǎn)品組合。N型—SiC襯底產(chǎn)品，晶圓直徑可達(dá)150mm；高壓安注—半絕緣SiC襯底產(chǎn)品，晶圓直徑可達(dá)150mm；在SiC襯底上生產(chǎn)N型和P型SiC外延層，并且具有從亞微米到>200μm的最寬可用層厚度；在SiC襯底上產(chǎn)生氮化物外延——GaN，AlxGa1-xN和Al1-y InyN外延層。Wolfspeed的材料使設(shè)備能夠?yàn)榭稍偕茉?，基站和電信，牽引，工業(yè)電機(jī)控制，電源管理和汽車(chē)應(yīng)用提供動(dòng)力。

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總結(jié)

如今隨著技術(shù)的進(jìn)步，SiC功率器件尺寸已從4英寸升級(jí)到6英寸，甚至8英寸，產(chǎn)業(yè)化水平不斷提高的同時(shí)，成本也在迅速下降。Yole公司預(yù)測(cè)，到2020年碳化硅器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到35億元人民幣，并以超過(guò)40 %的復(fù)合年均增長(zhǎng)率繼續(xù)快速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2025年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)150億元人民幣，到2030年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)500億元人民幣。國(guó)內(nèi)碳化硅器件的市場(chǎng)約占國(guó)際市場(chǎng)的40 %~50 %。

未來(lái)SiC功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域也將逐漸擴(kuò)大，不僅在國(guó)防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景，在寬帶通訊、太陽(yáng)能、汽車(chē)制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、新能源并網(wǎng)、通訊電源等領(lǐng)域也將大顯身手。相信隨著越來(lái)越多廠商的入局，SiC功率器件的技術(shù)會(huì)更加完善，這一系列的發(fā)展也將對(duì)解決節(jié)能環(huán)保問(wèn)題，造福人類(lèi)社會(huì)具有里程碑式的意義。

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