
【2023 年 7 月 3 日,德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統(tǒng)成本。
相比第一代產(chǎn)品,1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th))大于4V且Crss/Ciss比率極低,因此在VGS=0 V時可實現(xiàn)可靠的關斷,而且沒有寄生導通的風險。這使得單極驅(qū)動成為可能,從而降低了系統(tǒng)成本和復雜性。另外,新一代產(chǎn)品具有低導通電阻(RDS(on)),減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的傳導損耗。
先進的擴散焊接芯片貼裝工藝(.XT技術)顯著改善了封裝的熱性能,相比第一代產(chǎn)品,SiC MOSFET的結溫降低了25%。
此外,這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm,符合800 V系統(tǒng)要求并減少了涂覆工作量。為滿足不同應用的需求,英飛凌提供一系列RDS(on)選項,包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ型。
KOSTAL在其OBC平臺中使用CoolSiC MOSFET
KOSTAL Automobil Elektrik在其為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球領先的汽車充電器系統(tǒng)供應商,通過其標準化平臺方案為全球提供安全、可靠和高效的產(chǎn)品,可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。
英飛凌科技車規(guī)級高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示:“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn),讓我們更有動力與客戶一起推動汽車的電氣化進程。因此,我們十分高興能夠與KOSTAL合作。這個項目突出了我們的標準產(chǎn)品組合在采用先進SiC技術的車載充電器市場中的強大地位?!?
KOSTAL ASIA副總裁兼技術執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示:“英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高、魯棒性優(yōu)異,是我們未來一代OBC平臺的關鍵部件。這些優(yōu)勢有助于我們創(chuàng)造一個兼容的設計,以管理我們最先進的技術解決方案,實現(xiàn)優(yōu)化成本和大規(guī)模的市場交付?!?
供貨情況
采用TO263-7封裝的1200V CoolSiC? MOSFET現(xiàn)已上市。更多信息,請訪問www.infineon.com/ATV-1200v-coolsic-mosfet。
關于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約56,200名員工,在2022財年(截至9月30日)的收入約為142億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
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英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。
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