2023年7月19日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備，推出集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器的EcoGaN Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，該產(chǎn)品可以替代現(xiàn)有的Si MOSFET，從而使器件體積減少99%，功率損耗降低55%，非常有助于減少服務(wù)器和AC適配器的體積或者損耗。

目前該系列產(chǎn)品已于2023年6月開(kāi)始量產(chǎn)，包含兩款型號(hào)：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，導(dǎo)通電阻分別是70毫歐和150毫歐。此外，還備有三款評(píng)估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來(lái)評(píng)估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進(jìn)行測(cè)試。

EcoGaN相關(guān)產(chǎn)品線，羅姆的氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)歷程自2006年開(kāi)始，經(jīng)過(guò)不斷努力，在2021年確立了150V GaN器件技術(shù)，普通氮化鎵產(chǎn)品是6V耐壓，而羅姆產(chǎn)品可以做到8V。在2023年4月開(kāi)始量產(chǎn)650V耐壓產(chǎn)品，此次發(fā)布了這款650V Power Stage IC。EcoGaN是羅姆專門為氮化鎵器件申請(qǐng)的商標(biāo)。羅姆將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的氮化鎵器件命名為“EcoGaN?系列”, 并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外，羅姆不僅致力于元器件的開(kāi)發(fā)，還與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開(kāi)發(fā)，通過(guò)助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會(huì)問(wèn)題貢獻(xiàn)力量。