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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice?模型

利用嵌入了功率元器件的電路仿真工具,提高設(shè)計(jì)的便利性
2023-10-12 15:30 來源:ROHM 編輯:電源網(wǎng)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2陣容。LTspice®具有電路圖捕獲和波形查看器功能,可以提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice®模型,這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前,羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的LTspice®模型覆蓋率已超過80%,有助于客戶利用嵌入了功率元器件等分立產(chǎn)品的電路仿真工具來提高設(shè)計(jì)便利性。

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另外,除了產(chǎn)品頁面外,羅姆官網(wǎng)自2023年10月起還開設(shè)了可以瀏覽所有仿真模型的“設(shè)計(jì)模型”頁面,在這里可以輕松下載各種模型。此外,還一并提供添加庫和創(chuàng)建符號(hào)(電路圖符號(hào))的指南文檔等,有助于客戶順利創(chuàng)建電路和執(zhí)行仿真。

未來,羅姆將繼續(xù)擴(kuò)大支持各種仿真工具的模型陣容,通過提供滿足客戶需求的在線工具和資源(例如已經(jīng)發(fā)布的“ROHM Solution Simulator*5”),助力解決客戶在電路設(shè)計(jì)過程中的問題。

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<背景>

近年來,在電路設(shè)計(jì)中使用電路仿真的機(jī)會(huì)越來越多,可用的工具也多種多樣。其中,LTspice®是具有代表性的電路仿真工具之一,其用戶包括從學(xué)生到企業(yè)工程師的廣大群體。為了滿足眾多用戶的需求,羅姆進(jìn)一步擴(kuò)充了支持LTspice®的分立產(chǎn)品模型陣容。

<仿真模型一覽頁面>

?設(shè)計(jì)模型

除了LTspice®模型外,羅姆還發(fā)布了支持不同使用工具環(huán)境的各種仿真模型。

https://www.rohm.com.cn/support/design-model

<支持文檔>

?LTspice®模型的使用方法

?LTspice®模型的使用方法:收斂速度改善技巧

?LTspice®是Analog Devices, Inc.的注冊(cè)商標(biāo)。

使用其他公司的商標(biāo)時(shí),請(qǐng)遵循權(quán)利方制定的使用規(guī)定。

<術(shù)語解說>

*1) 電路仿真工具

一種無需實(shí)際準(zhǔn)備電子元器件而僅使用軟件進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的工具。

*2) SPICE模型

在電子電路仿真工具中使用的、用數(shù)學(xué)公式來表現(xiàn)元器件工作特性的數(shù)據(jù)。

仿真工具對(duì)應(yīng)的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而異。

*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。

*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管。

*5) ROHM Solution Simulator

在羅姆官網(wǎng)上運(yùn)行的免費(fèi)電路仿真工具。從元器件選型和元器件單品驗(yàn)證到系統(tǒng)級(jí)的運(yùn)行驗(yàn)證,均可通過該仿真工具來實(shí)現(xiàn)。

標(biāo)簽: SiC IGBT LTspice RoHM

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