性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

微軟公司宣布不再支持你正在使用的 IE瀏覽器,這會嚴(yán)重影響瀏覽網(wǎng)頁,請使用微軟最新的Edge瀏覽器
廠商專區(qū)
產(chǎn)品/技術(shù)
應(yīng)用分類

GPU背后的大贏家——HBM

2024-03-14 14:29 來源:互聯(lián)網(wǎng) 編輯:Janet

近日,由于AI需求強(qiáng)勁,三星電子和SK海力士正在考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量,以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡,生產(chǎn)HBM、DDR5和LP-DDR5等高價值產(chǎn)品。

HBM,全稱是High Bandwidth Memory,意思是高帶寬存儲器,被《科創(chuàng)板日報(bào)》評選為2023年十大科技熱詞。

HBM是一款新型的CPU/GPU 內(nèi)存芯片(即 “RAM”),其實(shí)就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起,實(shí)現(xiàn)大容量,高位寬的DDR組合陣列。打個比方,如果說傳統(tǒng)的DDR是"平房設(shè)計(jì)",那么HBM則是"樓房設(shè)計(jì)"。堆疊起來之后,直接的結(jié)果就是接口變得更寬,其下方互聯(lián)的觸點(diǎn)數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于DDR內(nèi)存連接到CPU的線路數(shù)量。因此,與傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)相比,HBM具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸。

建一個樓房可要比建一個平房要困難得多,從底層地基、布線、傳輸信號、指令、電流等都需要重新設(shè)計(jì),而且對封裝工藝的要求也很高。

圖片1.jpg

如上圖右側(cè),DRAM通過堆疊的方式,疊在一起,Die之間用TVS方式連接;DRAM下面是DRAM邏輯控制單元,對DRAM進(jìn)行控制;GPU和DRAM通過uBump和Interposer(起互聯(lián)功能的硅片)連通;Interposer再通過Bump和 Substrate(封裝基板)連通到BALL;最后BGA BALL 連接到PCB上。

HBM堆棧通過中介層緊湊而快速地連接,HBM具備的特性幾乎和芯片集成的RAM一樣,可實(shí)現(xiàn)更多的IO數(shù)量。同時HBM重新調(diào)整了內(nèi)存的功耗效率,使每瓦帶寬比GDDR5高出3倍還多,功耗降低3倍多!另外,HBM相比GDDR5節(jié)省94%的表面積!

HBM的初衷,就是為了向GPU和其他處理器提供更多的內(nèi)存。這主要是因?yàn)殡S著GPU 的功能越來越強(qiáng)大,需要更快地從內(nèi)存中訪問數(shù)據(jù),以縮短應(yīng)用處理時間。例如,AI和視覺,具有巨大內(nèi)存和計(jì)算和帶寬要求。所以提升內(nèi)存帶寬一直是存儲芯片聚焦的關(guān)鍵問題。

目前,HBM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā),最新的HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本。2023年,NVIDIA 發(fā)布H200芯片,是首款提供HBM3e內(nèi)存的GPU,HBM3e是目前全球最高規(guī)格的HBM內(nèi)存,由SK海力士開發(fā),將于明年上半年開始量產(chǎn)。

圖片2.jpg

HBM每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。引腳(Pin)數(shù)據(jù)傳輸速率為1Gbps的第一代HBM,發(fā)展到其第五產(chǎn)品HBM3E,速率則提高到了8Gbps,即每秒可以處理1.225TB的數(shù)據(jù)。也就是說,下載一部長達(dá)163分鐘的全高清(Full-HD)電影(1TB)只需不到1秒鐘的時間。

當(dāng)然,存儲器的容量也在不斷加大:HBM2E的最大容量為16GB,目前,三星正在利用其第四代基于EUV光刻機(jī)的10nm制程(14nm)節(jié)點(diǎn)來制造24GB容量的HBM3芯片,此外8層、12層堆疊可在HBM3E上實(shí)現(xiàn)36GB(業(yè)界最大)的容量,比HBM3高出50%。

此前SK海力士、美光均已宣布推出HBM3E芯片,皆可實(shí)現(xiàn)超過1TB/s的帶寬。同時,三星也宣布HBM4內(nèi)存將采用更先進(jìn)的芯片制造和封裝技術(shù),雖然HBM4的規(guī)格尚未確定,但有消息稱業(yè)界正尋求使用2048位內(nèi)存接口,并使用FinFET晶體管架構(gòu)來降低功耗。三星希望升級晶圓級鍵合技術(shù),從有凸塊的方式轉(zhuǎn)為無凸塊直接鍵合。因此,HBM4的成本可能會更高。

HBM今后的存在感或許會越來越強(qiáng)。據(jù)semiconductor-digest預(yù)測,到2031年,全球高帶寬存儲器市場預(yù)計(jì)將從2022年的2.93億美元增長到34.34億美元,在2023-2031年的預(yù)測期內(nèi)復(fù)合年增長率為31.3%。

2月23日,SK海力士副總裁KimKi-tae表示,2024年海力士旗下HBM產(chǎn)能已售罄。此前美光在業(yè)績會中也表示得益于生成式AI需求增長,美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。

聲明:本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。

微信關(guān)注
技術(shù)專題 更多>>
技術(shù)專題之EMC
技術(shù)專題之PCB

頭條推薦

電子行業(yè)原創(chuàng)技術(shù)內(nèi)容推薦
客服熱線
服務(wù)時間:周一至周五9:00-18:00
微信關(guān)注
獲取一手干貨分享
免費(fèi)技術(shù)研討會
editor@netbroad.com
400-003-2006