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英飛凌攜手臺達共同開發(fā)高功率密度電源模塊, 加速數(shù)據中心電源架構升級

2025-08-29 11:43 來源:英飛凌 編輯:電源網

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布與臺達電子工業(yè)股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)強化既有合作伙伴關系,共同開發(fā)高功率密度電源模塊,為超大型數(shù)據中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。

英飛凌OptiMOS™系列 TDM22544D 雙相功率模塊

這項合作結合了英飛凌的超薄硅基(MOSFET)芯片與嵌入式封裝技術,以及臺達行業(yè)領先的電源模塊設計與制造能力,共同開發(fā)具備高能效的高功率密度電源模塊,以實現(xiàn)超大型數(shù)據中心xPUs(運算單元)的垂直供電架構(VPD)。相較于傳統(tǒng)的平面橫向供電分立式解決方案,垂直供電模塊可為單一機柜在三年的產品周期中減少高達150噸的二氧化碳排放。若未來的超大型數(shù)據中心將包含多達100個服務器機柜,總計二氧化碳減排量將相當于4000戶家庭一年的碳排放。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示:“與臺達的緊密合作是兩家公司相輔相成的一個完美的典范——結合英飛凌業(yè)界領先的硅基技術與封裝專業(yè)技術,和臺達卓越的模塊開發(fā)能力相結合。通過這項合作,我們攜手為超大型數(shù)據中心創(chuàng)造了顯著價值,在保持高效率與高可靠性的同時,也降低了成本,進一步推動了低碳化的進程。”

臺達電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經理陳盈源表示:“我們與英飛凌的合作已推進至共同開發(fā)高度先進的VPD模塊,可為客戶提供卓越的電源效率、可靠性與可擴展性。我們對于能夠在推動超大型數(shù)據中心電源基礎設施生態(tài)系統(tǒng)節(jié)能方面發(fā)揮關鍵作用而感到自豪,并且期待通過兩家公司的聯(lián)合創(chuàng)新為整個行業(yè)做出重要貢獻。”

臺達的這項VPD模塊采用英飛凌的硅基OptiMOS™ 90A功率級解決方案,其垂直供電技術是提高系統(tǒng)效率的關鍵因素,因為垂直供電實現(xiàn)了更直接且精簡的供電路徑。通過垂直供電而非橫向供電,VPD模塊可減少系統(tǒng)的供電網絡損耗,從而實現(xiàn)更高的功率密度與效率,同時也減少因電源損耗產生的散熱需求。另外,垂直供電設計還能釋放出更多系統(tǒng)板上的面積,幫助超大型數(shù)據中心更有效地利用空間,設計出更為緊湊與高密度的數(shù)據中心,并降低整體擁有成本。

隨著AI時代的持續(xù)推進,對高功率數(shù)據中心的需求正呈指數(shù)級增長。為滿足這一需求,數(shù)據中心需要能夠支持AI訓練與推理應用日益增長的功率需求的供電解決方案。此外,由于整合了更多高度互連的xPUs,IT機柜內的密度日益增加,需要開發(fā)更高電壓的配電解決方案,更為高效地為這些高密度系統(tǒng)供電。英飛凌與臺達正在合作開發(fā)下一代AI數(shù)據中心電源供應解決方案,以應對在不久的將來這些數(shù)據中心機柜即將出現(xiàn)的兆瓦(MW)等級供電需求

除了在氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)電源解決方案方面擁有廣泛的產品組合外,英飛凌還是硅MOSFET領域的全球領導者,其設計的硅MOSFET旨在為電源開關、控制和轉換帶來一流的性能、可靠性與易用性,幫助產品和系統(tǒng)解決方案實現(xiàn)更高的效率、功率密度和成本效益。

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關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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