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【求助貼】附圖 Flyback起機(jī)就燒IC

各位兄臺(tái)，請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題，描述如下：

條件：Vin=12V  Vo=18V  Io=0.4A  變壓器安匝比1:1（原副邊都是19匝）,L=22uH，大致原理圖如下：

 

現(xiàn)象：起機(jī)就燒IC，波形如下：（黃色為上圖中SW處的波形）

 

原因分析：變壓器漏感Llk和MOS的結(jié)電容Coss產(chǎn)生LC電路，導(dǎo)致Vring＞40V（超過(guò)了MOS的耐壓），所以起機(jī)就燒IC，

我嘗試加一個(gè)Snubber吸收電路，Csn=10nF，Rsn=100K，如下圖，可是依然不起作用，所以懇請(qǐng)各位給剛?cè)腴T(mén)的小弟提點(diǎn)意見(jiàn)，是不是改變變壓器的繞法或者其他途徑可以解決，謝謝大家！

 

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2012-10-09 16:56

次級(jí)多加幾圈試試，祝你成功

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meloyhj
LV.2
3
2012-10-09 16:58
@q243655906
次級(jí)多加幾圈試試，祝你成功

謝謝，我現(xiàn)在的安匝比是1:1，是不是原級(jí)次級(jí)都多增加幾圈呢？

增加的目的是減少漏感嗎？

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2012-10-09 17:18
查看一下起機(jī)瞬間的電流波形。計(jì)算起機(jī)時(shí)MOS的功耗是否超出了規(guī)格。
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meloyhj
LV.2
5
2012-10-09 17:25
@fly
查看一下起機(jī)瞬間的電流波形。計(jì)算起機(jī)時(shí)MOS的功耗是否超出了規(guī)格。
多謝Fly團(tuán)長(zhǎng)。起機(jī)時(shí)的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測(cè)來(lái)看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計(jì)應(yīng)該是超過(guò)最大功耗了，所以我才加了一個(gè)RCD Snubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒(méi)有改善。
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老梁頭
LV.10
6
2012-10-09 17:35
@meloyhj
多謝Fly團(tuán)長(zhǎng)。起機(jī)時(shí)的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測(cè)來(lái)看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計(jì)應(yīng)該是超過(guò)最大功耗了，所以我才加了一個(gè)RCDSnubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒(méi)有改善。
把你畫(huà)的原理圖貼上來(lái)看看！
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meloyhj
LV.2
7
2012-10-09 17:55
@老梁頭
把你畫(huà)的原理圖貼上來(lái)看看！

 

原本是一個(gè)Boost電路，現(xiàn)在把電感L1換成第一幅圖中的flyback就是了，應(yīng)用在高頻頭里的。

謝謝啦！

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2012-10-09 18:03
@meloyhj
多謝Fly團(tuán)長(zhǎng)。起機(jī)時(shí)的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測(cè)來(lái)看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計(jì)應(yīng)該是超過(guò)最大功耗了，所以我才加了一個(gè)RCDSnubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒(méi)有改善。
你是說(shuō)尖峰電壓沒(méi)有降低？最好還是改變下變壓器的繞法，減小漏感。
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meloyhj
LV.2
9
2012-10-10 09:01
@fly
你是說(shuō)尖峰電壓沒(méi)有降低？最好還是改變下變壓器的繞法，減小漏感。
是的，加了RCD Snubber后尖峰沒(méi)有降低，漏感我量了一下，0.8uH左右。改變繞法的具體做法是不是用三明治繞法？多謝！
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fly
10
2012-10-10 09:40
@meloyhj
是的，加了RCDSnubber后尖峰沒(méi)有降低，漏感我量了一下，0.8uH左右。改變繞法的具體做法是不是用三明治繞法？多謝！[圖片]
是的，三明治繞法可以減小漏感
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2012-10-10 09:42

呵呵，樓主用的是力科的示波器吧

對(duì)于你的這個(gè)電源，從你提供的參數(shù)看，占空比已經(jīng)超過(guò)0.6了，不知此IC時(shí)電流模式還是電壓模式控制方式？

我給你幾點(diǎn)建議吧：

1、降低匝比，盡量控制最大的占空比不超過(guò)0.5.

2、對(duì)于這種低壓的輸入、輸出小功率電源，建議采用初次級(jí)繞組雙線并繞的方法，可以最大限度的減小漏感。

3、IC的供電不要直接從輸入部分取，要加一個(gè)二極管跟一個(gè)小電阻，電容的方式給IC獨(dú)立供電。

4、Layout的時(shí)候，主功率回路面積盡量小

供你參考。

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meloyhj
LV.2
12
2012-10-10 09:59
@心中有冰
呵呵，樓主用的是力科的示波器吧對(duì)于你的這個(gè)電源，從你提供的參數(shù)看，占空比已經(jīng)超過(guò)0.6了，不知此IC時(shí)電流模式還是電壓模式控制方式？我給你幾點(diǎn)建議吧：1、降低匝比，盡量控制最大的占空比不超過(guò)0.5.2、對(duì)于這種低壓的輸入、輸出小功率電源，建議采用初次級(jí)繞組雙線并繞的方法，可以最大限度的減小漏感。3、IC的供電不要直接從輸入部分取，要加一個(gè)二極管跟一個(gè)小電阻，電容的方式給IC獨(dú)立供電。4、Layout的時(shí)候，主功率回路面積盡量小供你參考。

對(duì)！是Lecory的示波器，而且我們的IC是Current Control Mode。承蒙您拔冗指教，受益匪淺。多謝多謝！BTW，鄙人不才，您的第三條建議，一個(gè)Diode+小電阻+電容的IC供電方式，可否給一張示意圖，這樣做的目的是什么呢？謝謝！

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2012-10-11 11:29
變壓匝比用1：2都嫌小。。。
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2012-10-11 11:30
@dxsmail
變壓匝比用1：2都嫌小。。。

我覺(jué)得IC的耐壓不足造成的。。。。一般這種耐壓大概40V左右吧？？、

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2012-10-11 11:32
@dxsmail
變壓匝比用1：2都嫌小。。。

最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。

沒(méi)有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。

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meloyhj
LV.2
16
2012-10-11 13:07
@dxsmail
最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。沒(méi)有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。
好的，非常感謝，我去試一下！
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meloyhj
LV.2
17
2012-10-11 13:15
@dxsmail
我覺(jué)得IC的耐壓不足造成的。。。。一般這種耐壓大概40V左右吧？？、
是的，您說(shuō)的很對(duì)。就是因?yàn)槟蛪翰蛔銓?dǎo)致的。IC的內(nèi)置MOS最大耐壓38V，變壓器漏感和結(jié)電容所致SW Ring到了52V（第二幅圖可見(jiàn)）,所以擊穿了。我加了RCD Snubber卻沒(méi)有見(jiàn)效，所以才求助各位大俠支點(diǎn)招。呵呵。
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2012-10-11 13:49
@dxsmail
最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。沒(méi)有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。
是瞬抑管。。。。
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meloyhj
LV.2
19
2012-10-11 15:12
@dxsmail
是瞬抑管。。。。
TVS是吧，有的。
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