性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

【求助貼】附圖 Flyback起機就燒IC

各位兄臺，請教一個問題，描述如下：

條件：Vin=12V  Vo=18V  Io=0.4A  變壓器安匝比1:1（原副邊都是19匝）,L=22uH，大致原理圖如下：

 

現(xiàn)象：起機就燒IC，波形如下：（黃色為上圖中SW處的波形）

 

原因分析：變壓器漏感Llk和MOS的結(jié)電容Coss產(chǎn)生LC電路，導(dǎo)致Vring＞40V（超過了MOS的耐壓），所以起機就燒IC，

我嘗試加一個Snubber吸收電路，Csn=10nF，Rsn=100K，如下圖，可是依然不起作用，所以懇請各位給剛?cè)腴T的小弟提點意見，是不是改變變壓器的繞法或者其他途徑可以解決，謝謝大家！

 

全部回復(fù)(18)
正序查看
倒序查看
2012-10-09 16:56

次級多加幾圈試試，祝你成功

0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
3
2012-10-09 16:58
@q243655906
次級多加幾圈試試，祝你成功

謝謝，我現(xiàn)在的安匝比是1:1，是不是原級次級都多增加幾圈呢？

增加的目的是減少漏感嗎？

0
回復(fù)
2012-10-09 17:18
查看一下起機瞬間的電流波形。計算起機時MOS的功耗是否超出了規(guī)格。
0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
5
2012-10-09 17:25
@fly
查看一下起機瞬間的電流波形。計算起機時MOS的功耗是否超出了規(guī)格。
多謝Fly團(tuán)長。起機時的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測來看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計應(yīng)該是超過最大功耗了，所以我才加了一個RCD Snubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒有改善。
0
回復(fù)
老梁頭
LV.10
6
2012-10-09 17:35
@meloyhj
多謝Fly團(tuán)長。起機時的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測來看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計應(yīng)該是超過最大功耗了，所以我才加了一個RCDSnubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒有改善。
把你畫的原理圖貼上來看看！
0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
7
2012-10-09 17:55
@老梁頭
把你畫的原理圖貼上來看看！

 

原本是一個Boost電路，現(xiàn)在把電感L1換成第一幅圖中的flyback就是了，應(yīng)用在高頻頭里的。

謝謝啦！

0
回復(fù)
2012-10-09 18:03
@meloyhj
多謝Fly團(tuán)長。起機時的波形如圖二中的綠色波形，從示波器所測來看，SW的最高尖峰毛刺已到達(dá)50.4V，而我的MOS是IC內(nèi)置的（最大耐壓38V），所以我估計應(yīng)該是超過最大功耗了，所以我才加了一個RCDSnubber去吸收尖峰毛刺，但是試了幾組RC參數(shù)，效果沒有改善。
你是說尖峰電壓沒有降低？最好還是改變下變壓器的繞法，減小漏感。
0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
9
2012-10-10 09:01
@fly
你是說尖峰電壓沒有降低？最好還是改變下變壓器的繞法，減小漏感。
是的，加了RCD Snubber后尖峰沒有降低，漏感我量了一下，0.8uH左右。改變繞法的具體做法是不是用三明治繞法？多謝！
0
回復(fù)
fly
10
2012-10-10 09:40
@meloyhj
是的，加了RCDSnubber后尖峰沒有降低，漏感我量了一下，0.8uH左右。改變繞法的具體做法是不是用三明治繞法？多謝！[圖片]
是的，三明治繞法可以減小漏感
0
回復(fù)
2012-10-10 09:42

呵呵，樓主用的是力科的示波器吧

對于你的這個電源，從你提供的參數(shù)看，占空比已經(jīng)超過0.6了，不知此IC時電流模式還是電壓模式控制方式？

我給你幾點建議吧：

1、降低匝比，盡量控制最大的占空比不超過0.5.

2、對于這種低壓的輸入、輸出小功率電源，建議采用初次級繞組雙線并繞的方法，可以最大限度的減小漏感。

3、IC的供電不要直接從輸入部分取，要加一個二極管跟一個小電阻，電容的方式給IC獨立供電。

4、Layout的時候，主功率回路面積盡量小

供你參考。

0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
12
2012-10-10 09:59
@心中有冰
呵呵，樓主用的是力科的示波器吧對于你的這個電源，從你提供的參數(shù)看，占空比已經(jīng)超過0.6了，不知此IC時電流模式還是電壓模式控制方式？我給你幾點建議吧：1、降低匝比，盡量控制最大的占空比不超過0.5.2、對于這種低壓的輸入、輸出小功率電源，建議采用初次級繞組雙線并繞的方法，可以最大限度的減小漏感。3、IC的供電不要直接從輸入部分取，要加一個二極管跟一個小電阻，電容的方式給IC獨立供電。4、Layout的時候，主功率回路面積盡量小供你參考。

對！是Lecory的示波器，而且我們的IC是Current Control Mode。承蒙您拔冗指教，受益匪淺。多謝多謝！BTW，鄙人不才，您的第三條建議，一個Diode+小電阻+電容的IC供電方式，可否給一張示意圖，這樣做的目的是什么呢？謝謝！

0
回復(fù)
2012-10-11 11:29
變壓匝比用1：2都嫌小。。。
0
回復(fù)
2012-10-11 11:30
@dxsmail
變壓匝比用1：2都嫌小。。。

我覺得IC的耐壓不足造成的。。。。一般這種耐壓大概40V左右吧？？、

0
回復(fù)
2012-10-11 11:32
@dxsmail
變壓匝比用1：2都嫌小。。。

最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。

沒有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。

0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
16
2012-10-11 13:07
@dxsmail
最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。沒有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。
好的，非常感謝，我去試一下！
0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
17
2012-10-11 13:15
@dxsmail
我覺得IC的耐壓不足造成的。。。。一般這種耐壓大概40V左右吧？？、
是的，您說的很對。就是因為耐壓不足導(dǎo)致的。IC的內(nèi)置MOS最大耐壓38V，變壓器漏感和結(jié)電容所致SW Ring到了52V（第二幅圖可見）,所以擊穿了。我加了RCD Snubber卻沒有見效，所以才求助各位大俠支點招。呵呵。
0
回復(fù)
2012-10-11 13:49
@dxsmail
最好在RCD那邊用瞬擬管。。。應(yīng)該12V的就可以了。。。沒有可以用穩(wěn)壓管先試試。。。
是瞬抑管。。。。
0
回復(fù)
meloyhj
LV.2
19
2012-10-11 15:12
@dxsmail
是瞬抑管。。。。
TVS是吧，有的。
0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖