IGBT驅(qū)動(dòng)電路由促使元件開通的正偏壓電路和穩(wěn)定地保持元件處于關(guān)斷狀態(tài)、同時(shí)加快關(guān)斷速度的反偏壓電路組成，根據(jù)各種不同條件的設(shè)定，元件的特性也發(fā)生變化。另外，驅(qū)動(dòng)電路的接線方法不同也會(huì)出現(xiàn)元件的誤動(dòng)作問題。因此，設(shè)計(jì)最適當(dāng)?shù)腎GBT驅(qū)動(dòng)電路非常重要。

1 驅(qū)動(dòng)條件和主要特性的關(guān)系表 7-1 表述了IGBT 的驅(qū)動(dòng)條件與主要特性的關(guān)系。由于IGBT 的主要特性是隨VGE、RG 變化的，需要配合裝置的設(shè)計(jì)目標(biāo)進(jìn)行設(shè)定。

(4) dv/dt 誤觸發(fā)在-VGE 小的情況下也有發(fā)生，所以至少要設(shè)定在-5V 以上。尤其是門極配線長(zhǎng)的情況下要注意。1.3 門極電阻：RG門極電阻 RG 的數(shù)值，在說明書中用測(cè)定交換特性時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)門極電阻值表示。請(qǐng)將該值當(dāng)做門極電阻RG 的大致標(biāo)準(zhǔn)。以下說明RG 設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。(1) 交換特性在開通和關(guān)斷時(shí)均依存于RG，RG 越大，交換時(shí)間和交換損耗就越大，但交換時(shí)的浪涌電壓變小。(2) dv/dt 誤觸發(fā)在RG 較大時(shí)變得不太容易發(fā)生。(3) 雖然N 系列的IGBT 的RG 越大，短路最大耐受量會(huì)增加，但由于電流限制值減少，因此，必須注意將裝置的過電流跳閘水平設(shè)定在該限制值以下。當(dāng)RG 為標(biāo)準(zhǔn)門極電阻值（Tj=25℃）時(shí)，電流限制最小值為額定電流值的2 倍左右。請(qǐng)?jiān)谧⒁庖陨弦来嫘缘那疤嵯?，選定最適合的門極驅(qū)動(dòng)條件。詳情可參閱文章：IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)綜述。