如上圖所示：輸入V1經(jīng)R2,R3分壓，TL431導(dǎo)通截止控制Pmos管。設(shè)定低于10V時關(guān)斷PMOS.

Multisim中仿真效果很好，但是實際電路卻又很長一段的延遲區(qū)（10V-8V輸入，輸出由Vin慢慢下降到0V，不是立即就關(guān)斷）

，到8V左右，TL431分壓2.0V才能完全關(guān)斷。請教論壇高手支個招：怎樣才能縮小延遲區(qū)，快速關(guān)斷？

另外我單獨測了一下431，ref段電壓下降到2.4V左右時漏電流就非常小了，可以認為完全關(guān)斷。為什么并聯(lián)到電路

中要到2.0V左右才能完全關(guān)斷？求指點…………