三極管加速開通，1K慢慢關(guān)斷，頻率應(yīng)該不高吧，P管？

單片機輸出的電壓有可能低于MOS的VTH.(如3.3V供電的單片機)，所以需要采用三極管增加驅(qū)動能力。至于連用兩個是為了轉(zhuǎn)換電平。另外1K的電阻是否過大，主要是看您系統(tǒng)中對開關(guān)時間的要求，1K的電阻MOS開關(guān)速度會比較慢，只適合做低頻開關(guān)，如果是高頻開關(guān)損耗過大。

供參考。謝謝

MOS管前面加三極管應(yīng)該是因為單片機IO口電平不足于驅(qū)動MOS管的原因，可以選一個開啟電壓較低適合要求的MOS管。

兩級驅(qū)動一方面是轉(zhuǎn)換電平，另一方面是增大驅(qū)動電流。

可能是為了加快MOS觀光段的速度，或者提高導(dǎo)通電壓。

R97一般用10k吧，用兩個三極管來驅(qū)動有可能是電平轉(zhuǎn)換。

剛才我也仔細(xì)看來一下，兩個三極管上面的供的電都不一樣，5V的12V的兩路。

電流超過內(nèi)部閾值時，周期剩余階段會關(guān)斷功率MOSFET。

在功率MOS導(dǎo)通后，前沿消隱電路會將限流比較器抑制

R97的1K是起上拉作用，跟頻率沒關(guān)系。圖中的mos管感覺是N管。

前端加NPN管應(yīng)該是為了解決mos管開啟電壓過高，輸入電壓不足于驅(qū)動MOS管的問題。

加兩極NPN管可能是為了電平轉(zhuǎn)換。