肖特基溫度高
我用的是OB2372 IC做5V4A，現(xiàn)在用肖特基1045，效率是85%，半個(gè)小時(shí)就會(huì)保護(hù)了，哪為大師幫我分析一下是什么原因
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@zz052025
1045做5V2A溫度都能到80度以上要么加散熱片，要么換同步整流其實(shí)可以考慮用PSR的IC，這樣次級(jí)同步整流好弄
不知道你使用的是不是Low Vf 蕭特基二極體, 若是, 那換一下型號(hào).....
Low Vf 二極體有分
純Low V , VF低但I(xiàn)R值會(huì)較高(二極體特性沒辦法)
Low IR , 但VF會(huì)略高些, 但VF與流過但流成對(duì)數(shù)比, 所以單一顆10A使用在5A之前VF還是會(huì)很低
另一種是Ultra Low V, 就是IR低, VF也低, 這要IC製程的二極體才有喔, 就類似達(dá)爾(Diodes)或 節(jié)能(PFC)的Low V二極體, ST 那一類屬PN接面的就沒分...
你這5V/4A理論上兩顆TO277並聯(lián)是夠, 但量一下VD兩端電壓(副邊Vton+Vo)有沒有超過二極體耐壓, 容於量不夠
就必須抓大一點(diǎn), 不過像你這熱當(dāng)機(jī)情形, 大多是IR值太大造成, 所以你可以跟廠商要上述三種來試, 有些Item只分
Low V與Ultra Low V兩種, 那你只有選擇Ultra Low V
至於同步整流, 理論上不可能燒IC, 只會(huì)燒MOSFET
兩種接法: MOSFET從地整流, IC由輸出供電, 則MOSFET你必須選擇" 邏輯位準(zhǔn)"有就是Vth最高12V最低1.5V那種
MOSFET從上橋整流, 必須多一個(gè)繞組, 穩(wěn)壓後給IC使用
前者結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單, 但EMI較差, 後者須多一個(gè)繞組, 但EMI較好, 主要是因?yàn)榍罢叩? 地" 被切開了.....
參考看看囉....
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@fengpiang
就是不明白肖特基溫度怎么會(huì)那么高，按說5V4A的用一個(gè)1045就可以了，現(xiàn)在我用兩個(gè)肖特基還是會(huì)溫度高到保護(hù)。
剛才查看了一下1045的數(shù)據(jù)手冊(cè)，在4A的情況下，它的單管導(dǎo)通壓降約為0.5V，這樣，因?yàn)閷?dǎo)通壓降和電流引起的在管子上損耗的功率為2W，全部以熱能形式散發(fā)。當(dāng)然，你說的發(fā)熱情況下也存在10mA左右的漏電流，但這并不是主要的熱量來源。在不使用同步整流的情況下可以嘗試更大的散熱器，這個(gè)問題多半就能解決。如果要使用同步整流，那就更好咯！
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