加大散熱面積試過沒有？

用的是貼片1045，加大了也不可以，今天我用同步整流，效率是89%，兩個小時同步整流IC就燒了

就是不明白肖特基溫度怎么會那么高，按說5V4A的用一個1045就可以了，現(xiàn)在我用兩個肖特基還是會溫度高到保護(hù)。

你沒有測過肖特基的溫度???。。

5V4A是分水嶺。。。一般用肖特基20A45V超低壓降都不一定可以過了，認(rèn)證的溫度。。。。

1045做5V2A溫度都能到80度以上

要么加散熱片，要么換同步整流

其實(shí)可以考慮用PSR的IC，這樣次級同步整流好弄

不知道你使用的是不是Low Vf 蕭特基二極體, 若是, 那換一下型號.....

Low Vf 二極體有分

純Low V , VF低但I(xiàn)R值會較高(二極體特性沒辦法)

Low IR , 但VF會略高些, 但VF與流過但流成對數(shù)比, 所以單一顆10A使用在5A之前VF還是會很低

另一種是Ultra Low V, 就是IR低, VF也低, 這要IC製程的二極體才有喔, 就類似達(dá)爾(Diodes)或 節(jié)能(PFC)的Low V二極體, ST 那一類屬PN接面的就沒分...

你這5V/4A理論上兩顆TO277並聯(lián)是夠, 但量一下VD兩端電壓(副邊Vton+Vo)有沒有超過二極體耐壓, 容於量不夠

就必須抓大一點(diǎn), 不過像你這熱當(dāng)機(jī)情形, 大多是IR值太大造成, 所以你可以跟廠商要上述三種來試, 有些Item只分

Low V與Ultra Low V兩種, 那你只有選擇Ultra Low V

至於同步整流, 理論上不可能燒IC, 只會燒MOSFET

兩種接法: MOSFET從地整流, IC由輸出供電, 則MOSFET你必須選擇" 邏輯位準(zhǔn)"有就是Vth最高12V最低1.5V那種

              MOSFET從上橋整流, 必須多一個繞組, 穩(wěn)壓後給IC使用

前者結(jié)構(gòu)簡單, 但EMI較差, 後者須多一個繞組, 但EMI較好, 主要是因?yàn)榍罢叩? 地" 被切開了.....

參考看看囉....

剛才查看了一下1045的數(shù)據(jù)手冊，在4A的情況下，它的單管導(dǎo)通壓降約為0.5V，這樣，因?yàn)閷?dǎo)通壓降和電流引起的在管子上損耗的功率為2W，全部以熱能形式散發(fā)。當(dāng)然，你說的發(fā)熱情況下也存在10mA左右的漏電流，但這并不是主要的熱量來源。在不使用同步整流的情況下可以嘗試更大的散熱器，這個問題多半就能解決。如果要使用同步整流，那就更好咯！

4A的電流，你的同步是內(nèi)置還是外置mos的呢？？ 并不是說不可以用肖特基，如果可以，試試看用220封裝的 加大散熱面積  不建議277封裝的，如果277封裝在它的周邊加或是裸錫，那么要考慮錫的溫度或是277兩邊加的錫要均勻，要不隱患就來了~！~！

4建議用外掛mos如果成本 空間允許。89的效率是板端吧 你的空間很小嗎？？測試是在環(huán)溫多少下測試的呢？？

2.5倍的計算，并不是說可以不可以來衡量的。可靠性  溫升 會告訴你結(jié)果，然而也不并不一定是安數(shù)越大就越好，也要考慮VF，漏電流是吧。

也要考慮散熱面積很空間是吧？你這個溫度是它本身的溫度還是熱傳導(dǎo)過來的呢（熱分布不均勻?qū)е拢﹡