收到Rohm碳化硅MOS評估板已經(jīng)有一段時(shí)間了，今天終于有空寫帖子。
先曬曬評估板和待評估的SIC MOSFET器件
樣品中遺憾的是沒有4條腿的SiC MOSFET,等后期有了再補(bǔ)上
碳化硅評估板照片如下圖
評估板圖片先到這，接下來對板子的細(xì)節(jié)和器件進(jìn)行評估分享
【親測ROHM評估板 】+Rohm SiC MOSFET 評測
全部回復(fù)(12)
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對評估版的細(xì)節(jié)做個(gè)簡單介紹
1、主電路上封裝兼容TO247-3L和TO247-4L兩種封裝，可以方便的對比兩種封裝的器件特性差異
2、驅(qū)動(dòng)芯片采用Rohm SIC MOSFET 專用驅(qū)動(dòng)IC，型號BM6101
詳細(xì)器件資料
/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf
驅(qū)動(dòng)芯片框圖及不同封裝的應(yīng)用參考
3、雙脈沖控制部分，3個(gè)按鍵模擬信號機(jī)故障復(fù)位
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@小礦石
評估板帶的幾款SICMOSFET規(guī)格如下SCT3030AL 650V30mohm 70ASCT3060AL 650V60mohm 39ASCT3040KL 1200V40mohm 55ASCT3080KL 1200V80mohm 31A規(guī)格書下載地址：https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet[圖片][圖片]
先來看一組SCT2080的測試數(shù)據(jù)
| VGSTH | IDSS | BVDSS | IGSSF | IGSSR | RDSON |
| 3.036V | 195.7nA | 2300V | 9.1nA | 7.0nA | 75.5 mohm |
| 3.077V | 203.1nA | 2309V | 10.5nA | 2.6nA | 75.2 mohm |
額定電壓1200V的SIC MOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見余量很大
最新的SCT3080KE測試結(jié)果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產(chǎn)品啊
| IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
| 0.69uA | 1839V | 1885V | 3.354V | 81.1mohm |
| 0.71uA | 1839V | 1885V | 3.361V | 81.1mohm |
SCT3040 KE測試數(shù)據(jù)
| IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
| 0.78uA | 1714V | 1764V | 3.527V | 40.4mohm |
| 0.81uA | 1714V | 1764V | 3.668V | 40.5mohm |
從測試結(jié)果看，Rohm SIC MOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大
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@小礦石
先來看一組SCT2080的測試數(shù)據(jù)VGSTHIDSSBVDSSIGSSFIGSSRRDSON3.036V195.7nA2300V9.1nA7.0nA75.5mohm3.077V203.1nA2309V10.5nA2.6nA75.2mohm額定電壓1200V的SICMOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見余量很大最新的SCT3080KE測試結(jié)果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產(chǎn)品啊[圖片]IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.69uA1839V1885V3.354V81.1mohm0.71uA1839V1885V3.361V81.1mohmSCT3040KE測試數(shù)據(jù)IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.78uA1714V1764V3.527V40.4mohm0.81uA1714V1764V3.668V40.5mohm從測試結(jié)果看，RohmSICMOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大
感謝樓主分析測試數(shù)據(jù)結(jié)果，這個(gè)數(shù)據(jù)看著性能是不錯(cuò)的。
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@小礦石
按照Rohm推薦，對板子供電12V，測試輸入電流約0.013mA,指示燈全部亮起[圖片][圖片]驅(qū)動(dòng)供電電源測試波形如下：從波形可以看出是反激拓?fù)?，開關(guān)頻率330kHz，電壓尖峰只有20.7V[圖片]在沒有輸入信號的情況下，Vgs驅(qū)動(dòng)電壓如下：下橋-10V，上橋-15V，和理論分析偏差較大鑒于此情況需要分析清楚原因才能繼續(xù)加高壓測試，否則容易損壞器件[圖片][圖片]
找了一個(gè)TO247-4L的器件可以完美兼容安裝，驅(qū)動(dòng)問題解決了就可以上高壓測試了
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@小礦石
今天找到問題所在了，這個(gè)評估版默認(rèn)是按TO247-4L設(shè)計(jì)的，使用4L的器件測試驅(qū)動(dòng)是OK的，可以準(zhǔn)備上高壓進(jìn)行測試了設(shè)置驅(qū)動(dòng)電壓+18V/-2V,實(shí)測關(guān)斷電壓-1.918V[圖片]之前測試有問題主要是沒有焊接漏空的電阻[圖片]至此問題原因已分析清楚。[圖片]
先做一個(gè)階段性總結(jié)
1.該評估板設(shè)計(jì)上很好的兼容了247-3和247-4的封裝器件，使得參數(shù)評估對比簡化很多
2.控制拓?fù)渖峡梢詫?shí)現(xiàn)半橋、BUCK降壓、BOOST升壓等拓?fù)?
3.驅(qū)動(dòng)信號也做了很多實(shí)用的設(shè)計(jì)，比如死區(qū)時(shí)間、互鎖、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)、同步驅(qū)動(dòng)等
4.保護(hù)功能全面，過流保護(hù)點(diǎn)可調(diào)的過流保護(hù)電路、故障鎖存、故障復(fù)位、故障指示等
5.可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電壓，可以適用Rohm不同Gen的SiC MOSFET
總體來說該評估板設(shè)計(jì)上是很完善的，所有器件采用Rohm的電子元器件，具有較好的生態(tài)解決方案
等Rohm 247-4L器件樣品拿到后再做進(jìn)一步測試
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