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這個(gè)10N60MOS管DS腳之間并一個(gè)電容起什么作用

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2019-10-16 13:27

對(duì)EMI有一定的效果,尤其是輻射。不過(guò)在反激電源上,不到萬(wàn)不得已不要去加這玩意,

對(duì)效率影響很大,而且常規(guī)這個(gè)料用CBB是比較好的,如果改用瓷片類的電容,很容易

出現(xiàn)概率性不良!

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2019-10-16 14:44
@朝陽(yáng)之星
對(duì)EMI有一定的效果,尤其是輻射。不過(guò)在反激電源上,不到萬(wàn)不得已不要去加這玩意,對(duì)效率影響很大,而且常規(guī)這個(gè)料用CBB是比較好的,如果改用瓷片類的電容,很容易出現(xiàn)概率性不良!
具體說(shuō)一下如何對(duì)EMI有影響,剛?cè)脒@一行不是很懂,現(xiàn)在剛好在抄板子看到這樣的結(jié)構(gòu)問(wèn)一下
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2019-10-16 14:57
@開(kāi)袋機(jī)1
具體說(shuō)一下如何對(duì)EMI有影響,剛?cè)脒@一行不是很懂,現(xiàn)在剛好在抄板子看到這樣的結(jié)構(gòu)問(wèn)一下

測(cè)試傳導(dǎo)輻射不過(guò) ,加這玩意就過(guò)了,就要加,或者改變壓器等等,MOS你用的品牌不同也會(huì)有影響,

有些好的MOS就不用加,差的就要加。這個(gè)位置可以預(yù)留器件,能過(guò)就不加,過(guò)不了就加。傳導(dǎo)輻射

需要調(diào)試才知道的。

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2019-10-16 14:58
@開(kāi)袋機(jī)1
具體說(shuō)一下如何對(duì)EMI有影響,剛?cè)脒@一行不是很懂,現(xiàn)在剛好在抄板子看到這樣的結(jié)構(gòu)問(wèn)一下
如果剛?cè)胄?,整改傳?dǎo)輻射,要找老師傅帶帶你,這個(gè)沒(méi)有那么容易學(xué)的。
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2019-10-16 20:09
@朝陽(yáng)之星
如果剛?cè)胄校膫鲗?dǎo)輻射,要找老師傅帶帶你,這個(gè)沒(méi)有那么容易學(xué)的。

沒(méi)有幾個(gè)開(kāi)關(guān)電源加這個(gè)電容的,

影響效率,

加這個(gè)無(wú)非就是在30M~50M的地方有改善,

但是30M~50M能改的地方多的狠

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一心一
LV.8
7
2019-10-18 11:19
如果一定需要加的話串一個(gè)10R左右的電阻
2
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2022-10-06 19:07
@一心一
如果一定需要加的話串一個(gè)10R左右的電阻

在電容上串電容,減少對(duì)效率的影響嗎?(沒(méi)有杠的意思,不懂就問(wèn))

 

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86803
LV.1
9
2024-04-22 23:21
@朝陽(yáng)之星
測(cè)試傳導(dǎo)輻射不過(guò),加這玩意就過(guò)了,就要加,或者改變壓器等等,MOS你用的品牌不同也會(huì)有影響,有些好的MOS就不用加,差的就要加。這個(gè)位置可以預(yù)留器件,能過(guò)就不加,過(guò)不了就加。傳導(dǎo)輻射需要調(diào)試才知道的。

請(qǐng)教一下大神,并聯(lián)這個(gè)電容后出現(xiàn)概率性不良具體是什么原因,因?yàn)槟壳坝龅搅诉@個(gè)問(wèn)題,批量中出現(xiàn)一些這個(gè)電容損壞的現(xiàn)象

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2024-04-23 11:48
@86803
請(qǐng)教一下大神,并聯(lián)這個(gè)電容后出現(xiàn)概率性不良具體是什么原因,因?yàn)槟壳坝龅搅诉@個(gè)問(wèn)題,批量中出現(xiàn)一些這個(gè)電容損壞的現(xiàn)象

插件瓷片電容,MLCC要用最好的材質(zhì),實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,即使是最好的材質(zhì)也有概率問(wèn)題不良,具體原因不太清楚,可能是批量的不一致性吧!

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chhe008
LV.4
11
2024-04-23 21:17

很多MOS管D.S極多有這個(gè)電容器,我們公司常用102/221,可以抑制EMI!

1
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2024-04-24 09:28
@chhe008
很多MOS管D.S極多有這個(gè)電容器,我們公司常用102/221,可以抑制EMI!

我不知道你做多大功率,正常不會(huì)用這么大,我正常也就用PF級(jí)別的 10P 22P 

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dy-KbNRIn3i
LV.1
13
01-07 21:16
@水鄉(xiāng)電源
沒(méi)有幾個(gè)開(kāi)關(guān)電源加這個(gè)電容的,影響效率,加這個(gè)無(wú)非就是在30M~50M的地方有改善,但是30M~50M能改的地方多的狠

大佬,還在嗎

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11455355
LV.9
14
01-08 12:47

吸收電容,只是這樣直接并聯(lián)的很少,影響效率,容量越大能耗越大,而且這個(gè)電容靠性要求也很高。能夠抑制DS反向尖峰減少DS擊穿,也能提高EMI,一般是電阻電容串聯(lián)成RC吸收電路,并且多數(shù)吸收電路是并聯(lián)在初級(jí)線圈,較少并聯(lián)在DS。

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