InnoSwitch3-EP自適應(yīng)流限調(diào)整和變頻控制方案，可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供一直高效率。

也有一些型號(hào)集成了750V氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)，這可以降低電流流動(dòng)期間的傳導(dǎo)損耗。

設(shè)計(jì)電源布局也很重要，漏極開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是主要噪聲源。因此，連接漏極節(jié)點(diǎn)的元件應(yīng)靠近IC放置。

這樣降低工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗，最終有助于大幅降低電源的能耗提高效率。

INN3675C具有很多保護(hù)功能，線路上的欠壓或過(guò)壓保護(hù)，輸出端的限壓限流保護(hù)以及過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)。

PowiGaN的開(kāi)關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95％的高效率，輸出功率高達(dá)100 W。

PowiGaN的開(kāi)關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95％的高效率，輸出功率高達(dá)100 W。

PowiGaN不僅適合大功率快速充電應(yīng)用，而且還供了無(wú)散熱片的電源解決方案，消除了與散熱片相關(guān)的損耗和可靠性問(wèn)題。

并遠(yuǎn)離敏感的反饋電路。箝位電路元件應(yīng)遠(yuǎn)離初級(jí)旁路引腳，并且相關(guān)電路走線走線長(zhǎng)度應(yīng)盡量短。

InnoSwitch3-EP該系列的開(kāi)關(guān)電源有較高的輸出功率，而不同型號(hào)的的開(kāi)關(guān)電源IC有不同的輸出功率

由輸入整流濾波器電容、初級(jí)繞組和IC初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)形成的環(huán)路的面積應(yīng)盡可能的小。

 PowiGaN器件還采用無(wú)損耗初級(jí)電流檢測(cè)技術(shù)，可完全省去外部檢測(cè)電阻。

在分立方案中，這些電阻的大小通常會(huì)超過(guò)氮化鎵開(kāi)關(guān)自身的電阻

在恒流工作期間，當(dāng)輸出電壓降低時(shí)，器件將直接從次級(jí)繞組自行供電。

大功率的快充電源的設(shè)計(jì)，支持更大的輸出電流，搭配快充協(xié)議，滿足筆記本等大功率產(chǎn)品應(yīng)用。

變壓器初級(jí)繞組兩端的反射電壓開(kāi)始上升，反饋至控制極的電流IC相應(yīng)地增大

在降壓式電路中電感值對(duì)于在開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)斷開(kāi)期間保持流向負(fù)載的電流很關(guān)鍵

在一個(gè)輸入電壓半周期內(nèi)開(kāi)關(guān)頻率會(huì)有所變化以減緩輸出LED上的熱應(yīng)力

同樣的初級(jí)繞組為了抑制磁芯的磁通量減弱,試圖維持磁芯內(nèi)的磁通量,初級(jí)繞組電感會(huì)產(chǎn)生上負(fù)下正的感應(yīng)電壓Vor,這個(gè)電壓即是反射電壓。

因?yàn)镸OS管關(guān)斷且鉗位電容兩端的電壓更高，所以此感應(yīng)電壓沒(méi)有導(dǎo)通回路，所以不產(chǎn)生電流。

當(dāng)MOSFET開(kāi)啟時(shí)，器件使用存儲(chǔ)在旁路電容中的能量

實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)能夠減小ACF電路中開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗,解決了效率難題。

由電容及整流管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流尖峰引起導(dǎo)通的MOSFET提前誤關(guān)斷

是如何對(duì)次級(jí)側(cè)同步整流MOSFET及初級(jí)集成高壓MOSFET的準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)進(jìn)行精確控制的呢

需要防止初級(jí)側(cè)到次級(jí)側(cè)的擊穿而導(dǎo)致高壓尖刺和潛在損壞,而因此需要快速地關(guān)閉SR。