芯片的同步整流開關(guān)管的延時(shí)時(shí)間很短啊，低到80ns，不錯(cuò)。

開發(fā)的電源可以根據(jù)負(fù)載的變化迅速響應(yīng)，瞬態(tài)響應(yīng)非常好，及時(shí)。

對(duì)于多路輸出的電源設(shè)計(jì)方案PI的主控芯片具有極好的交叉調(diào)整率。

設(shè)計(jì)的電源輸出電壓及電流精度高，電壓調(diào)節(jié)10 mV,電流調(diào)節(jié) 50 mA。

通過處理器中斷實(shí)現(xiàn)遙測(cè)狀態(tài)回讀 ，動(dòng)態(tài)調(diào)整電源電壓及電流 ，可實(shí)現(xiàn)對(duì)各種功能的設(shè)定。

雙路輸出的電源待機(jī)功耗都會(huì)偏大點(diǎn)，不過多路輸出比較穩(wěn)定。

INN3673的快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，可保證CV在±5%的范圍內(nèi)，0%-100%-0%負(fù)載階躍。

新器件內(nèi)部還集成同步整流和準(zhǔn)諧振反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)90%以上的效率，并使空載功耗小于15mW。

InnoSwitch3-EP配置極大地簡化了反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程，并實(shí)現(xiàn)了縮減尺寸，提升效率的目的。

FluxLink技術(shù)可直接檢測(cè)輸出電壓，其優(yōu)勢(shì)在于可提供高精度的控制以及極其快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。

InnoSwitch3 在采用輸入電壓檢測(cè)電路情況下空載功耗仍然低于20 mW，是非常低的。

新的超薄InSOP封裝提供11 mm 的爬電距離及空間距離，這種封裝設(shè)計(jì)出來的產(chǎn)品體積更小。

其他保護(hù)功能包括輸入欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)和過流限制等保證電源的可靠運(yùn)行。

InnoSwitch3-EP反激式開關(guān)電源IC內(nèi)部集成900V耐壓的開關(guān)管，可提供無損耗的輸入過壓保護(hù)檢測(cè)。

InnoSwitch3-EP將初級(jí)、次級(jí)和通信電路集成在一個(gè)節(jié)省空間的 InSOP-24D 表面貼裝封裝里，這種封裝散熱性能好，比較薄。

在輸入電壓超過選定的閾值時(shí)可自動(dòng)中斷開關(guān)，可防止在嚴(yán)重輸入過壓情況下對(duì)電源造成損壞。

INN3673在各種輸入電壓及負(fù)載條件下均可提供很高的效率，從而可降低電源損耗，實(shí)現(xiàn)無需散熱片的緊湊型35 W電源設(shè)計(jì)。

GaN開關(guān)取代了IC初級(jí)側(cè)的傳統(tǒng)硅高壓晶體管，降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

能源浪費(fèi)的減少可實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率處理能力，innoswitch3也有很多型號(hào)有GaN的。

這些特性可實(shí)現(xiàn)高效率、高精度和高可靠性的電源電路，并且無需不可靠的光耦器。

電源的待機(jī)模式為高效率設(shè)計(jì)，可在5 V時(shí)提供高達(dá)49 mA的電流，在230 VAC時(shí)輸入功率為0.3 W，能夠滿足高效率要求的電源設(shè)計(jì)需求

電路圖貼出來啊

空載功耗小于30 mW是怎么做到的，控制芯片功耗多少

該技術(shù)將系統(tǒng)簡單性與高輸出精度相結(jié)合

多路輸出的短路保護(hù)如何設(shè)計(jì)？雙路輸出不同負(fù)載的穩(wěn)定性如何解決

脈沖比控制器利用初級(jí)反饋，通過逐脈沖選通固定寬度和固定周期的功率脈沖來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。

FluxLink 提供快速通信，可對(duì)負(fù)載瞬變提供幾乎瞬時(shí)的響應(yīng)，響應(yīng)速度快。

動(dòng)態(tài)響應(yīng)極快，可滿足動(dòng)態(tài)負(fù)載需求

反擊電源的多路輸出交叉調(diào)整率比正激電源更難做，理解交叉調(diào)整率非常重要的。

多路電源設(shè)計(jì)時(shí)，如果漏感不匹配時(shí)，就會(huì)有很多方面影響到輸出調(diào)整率。

輸入電壓，如果設(shè)計(jì)不是很連續(xù)，則在高壓時(shí)進(jìn)入DCM狀態(tài)，DCM時(shí)由于電流沒有后面的平臺(tái)，漏感影響更明顯。