相對于第一代硅基半導(dǎo)體，氮化鎵半導(dǎo)體具有禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。

同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。

氮化鎵技術(shù)的特點(diǎn)及優(yōu)勢，帶來的應(yīng)用環(huán)境更廣，性能穩(wěn)定可靠。

使用氮化鎵能讓充電器在體積做小的同時(shí)，內(nèi)部設(shè)置多口輸出的降壓電路，而不增加整體體積。

氮化鎵優(yōu)勢具有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、高效率的特性，可以支持更高的開關(guān)頻率。

氮化鎵技術(shù)會使Ciss值減小，顯著減小初級控制器或外掛驅(qū)動器的功耗。

進(jìn)而可以降低驅(qū)動器的溫升，提高穩(wěn)定性并提高效率。相比硅MOS10V的驅(qū)動電壓降低，也降低了驅(qū)動器的驅(qū)動難度。

對應(yīng)的GaN的柵極是通過摻雜的GaN消耗，使得電子溝道關(guān)斷。因此GaN耐壓能力，驅(qū)動電壓都比MOS管低。

GaN具有更寬的帶隙和電子遷移率，其開關(guān)速度更快，具有更高的效率和功率密度.

氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品帶來系統(tǒng)的優(yōu)勢是易散熱、體積小、功耗低、功率大。

氮化鎵設(shè)計(jì)的開關(guān)可以支持在300攝氏度以上的環(huán)境使用，耐高溫。

GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度。

氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)開發(fā)的優(yōu)勢，工藝先進(jìn)，產(chǎn)品的性能出色，下一代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的方向。

氮化鎵的開關(guān)耐壓很高，同時(shí)支持更高的工作頻率，利于產(chǎn)品體積縮小。

集成氮化鎵技術(shù)的芯片比獨(dú)立氮化鎵器件具有更小的體積，更高的開關(guān)速度，更低功耗及更高的效率，高頻率低損耗的優(yōu)勢

頻率一高，就得上固態(tài)電容。

普通高頻低阻的電解對100K以上的頻率還是不夠給力，在小批量測試中，老化的時(shí)候都會有鼓包的。

我也覺得集成氮化鎵技術(shù)未來會是一種趨勢

PI的功率器件就是做得好?。?/p>

氮化鎵器件可真的是未來的發(fā)展趨勢啊

擁有準(zhǔn)諧振反激QR架構(gòu)以及有源鉗位ACF架構(gòu)

PI集成氮化鎵技術(shù)以后的主流技術(shù)啊

目前氮化鎵器件是主流方案了，特別是在PD快充行業(yè)

沒有反向恢復(fù)時(shí)間

PI集成氮化鎵技術(shù)的芯片與獨(dú)立氮化鎵器件的優(yōu)勢相當(dāng)明顯，尤其用于45W及以上的快充電源產(chǎn)品中，小體積、低發(fā)熱等優(yōu)勢極為明顯，獲得了消費(fèi)者高度認(rèn)可。

集成氮化鎵技術(shù)的芯片比獨(dú)立氮化鎵器件具有更小的體積，更高的開關(guān)速度，更低功耗及更高的效率，高頻率低損耗的優(yōu)勢

但是價(jià)格會相對較高呀，如果不是追求絕對的效率，這個(gè)差價(jià)可能不是可以接受的。

學(xué)習(xí)的基本知識，對于實(shí)際應(yīng)用的設(shè)計(jì)心得不知道你有沒有啊

基礎(chǔ)物理了不起，新材料

氮化鎵開關(guān)管的驅(qū)動電路通普通 MOS 管還是不同，設(shè)計(jì)中還是要熟悉器件特性

反饋引腳直接連接到分壓器網(wǎng)絡(luò)，以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)