整合了多種保護(hù)功能，包括線電壓過壓和欠壓保護(hù)、輸出過壓和過電流限制，以及過溫關(guān)機(jī)。

由二極管D1、電阻R5、R6和R7和電容器C4組成的低成本RCD鉗位，在U1內(nèi)部開關(guān)關(guān)閉的瞬間限制U1的峰值漏極電壓

INN3679芯片采用氮化鎵技術(shù)開發(fā)，損耗小，產(chǎn)品的成本高點。

內(nèi)部集成的725 v / 750 v 開關(guān)額定值系列、提供極佳性能浪涌耐受，而 900 v 開關(guān)額定值系列的型號用于工業(yè)設(shè)計或額外安全裕度。

氮化鎵比硅更適合用作大功率高頻的功率器件。因為與硅相比,氮化鎵具有非常低的特定RDS(ON),因此開關(guān)更小,并且COSS也更低。

INN3679集成同步整流和準(zhǔn)諧振（QR）/CCM反激式控制器，可實現(xiàn)90%以上的效率，并使空載功耗小于15mW。

不同的鉗位電路元件參數(shù)，效果差異比較明顯。根據(jù)推薦參數(shù)選擇比較好。

氮化鎵的技術(shù)成熟了，就是成本比較高。

氮化鎵的能隙很寬，為3.4V，可以用在高功率、高速的光電元件中

氮化鎵技術(shù)所具備的快速開關(guān)優(yōu)勢,提高了充電器的開關(guān)頻率,減小變壓器體積。

FluxLink 通信技術(shù)無需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進(jìn)行反饋控制

FluxLink可提供非常大的通信帶寬，實現(xiàn)極快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

振蕩器具有的電路可導(dǎo)入少量的頻率抖動， 通常為6%的開關(guān)頻率以將EMI降低到最小

innoswitch 產(chǎn)品集成 PowiGaN、有源鉗位驅(qū)動和同步整流、與ClampZero有源鉗位電路，適合使用的恒壓/恒流離線反激式設(shè)計

采用氮化鎵元器件設(shè)計電源，這款產(chǎn)品輸出是60W，可以說很實用了。

唯一缺點就是成本比較貴

氮化鎵器件的信號傳輸特性對改善信號系統(tǒng)輸出效率有哪些直接作用

安全性能不錯

剛開始用，成本都是比較貴的，假以時日技術(shù)發(fā)展了，成本自然就降下去了。

氮化鎵充電器其實只是利用了氮化鎵材料的特性，電源適配器從根本上降低了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。

讓轉(zhuǎn)換器擁有更高的開關(guān)頻率，同時減小變壓器的尺寸，提升轉(zhuǎn)化效率，同時發(fā)熱減少了，散熱材料可以進(jìn)一步縮減，電源適配器的整體尺寸自然也可以做得更小，轉(zhuǎn)換效率還更高。

氮化鎵技術(shù)近幾年特別流行，較高的耐壓能力，還有高效率的轉(zhuǎn)化，在設(shè)計各類快充插座時候很有優(yōu)勢

FluxLink 通信技術(shù)無需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進(jìn)行反饋控制，省去了很多外圍元件

怎么樣有效降低空載帶來的能量損耗

降壓式變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最小直流輸入電壓輸入電容的值應(yīng)足夠大才能滿足標(biāo)準(zhǔn)

氮化鎵GaN高電子遷移率可實現(xiàn)更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻。

用氮化鎵GaN制造高效率功率晶體管和集成電路會，實現(xiàn)更高的功率和更小的體積

GaN讓我們用上了更小體型、更高效率和更高穩(wěn)定性的電源，用在功率大的電源比較有優(yōu)勢。

FluxLink 通信技術(shù)無需使用任何磁芯材料即可在安規(guī)隔離帶之間進(jìn)行反饋控制，不需要光耦器件了吧

每當(dāng)反饋引腳電壓被拉高時，振蕩器的內(nèi)部計數(shù)器會重新復(fù)位

所有變換器中，電感峰值電流，開關(guān)峰值電流，二極管峰值電流都是相同的。