氮化鎵功率器件高頻率低損耗的優(yōu)勢(shì)，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

內(nèi)置反激式控制器、初級(jí)開關(guān)管，以及次級(jí)測(cè)檢測(cè)和同步整流控制器，還帶有高壓隔離保護(hù)的集成反饋鏈路，集成度非常高。

集成度更高的合封氮化鎵芯片是指把多個(gè)功能電路集成了，極大簡(jiǎn)化了外圍功能電路的設(shè)計(jì)難度和布局

INN3379芯片極大地簡(jiǎn)化了反激式電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)。

使用時(shí)無需搭配光耦，內(nèi)建多重保護(hù)功能符合安規(guī)要求，用于USB PD 輸出。

INN3379C屬于InnoSwitch3-Pro家族，不過與其他型號(hào)不同的是，INN3379C采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù)。

內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率。

具有高集成度和豐富的功能，在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件，有效減小整體方案的尺寸，降低BOM成本。

GaN技術(shù)還是很不錯(cuò)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

快充設(shè)計(jì)的典型應(yīng)用

集成度高，功率密度大，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，提高效率。

合封氮化鎵芯片的集成度如何影響功率電子器件設(shè)計(jì)？

如何提升新一代電源芯片的功率密度和效率？

3379的輸入電壓非常全面

看起來比較緊湊

功率密度可以做到多少

多重保護(hù)機(jī)制，內(nèi)部隔離技術(shù)，節(jié)省了光耦空間，高集成芯片，更加方便、快捷地完成調(diào)試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。

反饋引腳直接連接到分壓器網(wǎng)絡(luò)，以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)

支持多種輸出配置，使用起來很靈活

各開關(guān)周期在初級(jí)功率MOSFET的漏極電流達(dá)到器件的電流限流值時(shí)終止

只有當(dāng)電壓監(jiān)測(cè)引腳電流高于電壓緩升閾值且持續(xù)時(shí)間超過50ms時(shí)，開關(guān)才會(huì)恢復(fù)