SIC1181KQ和SIC1182KQ是適合SiC MOSFET的單通道門極驅動器。該器件利用PI革命性的固體絕緣FluxLink技術實現(xiàn)了加強絕緣。其峰值輸出驅動電流可達±8A，可直接驅動600A/800A（典型值）以下的開關器件。該器件還具有原方和副方欠壓保護(UVLO)、帶溫度和過程補償輸出阻抗的軌到軌輸出等更多特性，可確保產品即使在嚴苛的條件下也能安全工作。在汽車電子領域中，MOSFET應用需要更高要求。比如在AUTOMBILE HID LAMP BALLAST中，防反接電路、PWM驅動電路、全橋電路、續(xù)流電路等都需要MOSFET的參與。
我們都知道，SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOS導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用。相較而言，SiC MOS跨導變化較低，VGS的較小變化不會引起很大的電流變化，所以SiC MOSFET驅動電路的設計時需要注意：
1、一般情況下，-5V＜VGS＜20V的范圍能夠發(fā)揮SiC MOSFET的性能，所以提供驅動電壓的電源最好能夠滿足VDD=00025V,VEE=-10V，才能夠覆蓋更廣泛的SiC型號。
2、VGS電壓必須有較快的上升沿和下降沿。
3、需要有最小正負電壓的欠壓鎖定。
4、和硅基器件一樣，需要有各種保護電路，過電流、短路、鉗位等保護功能。
5、對于整個回路的布線盡可能地減小雜散電感，由于較快的開關速度，相對于硅基的要求更高，要求雜散電感盡可能小。
總之，SiC MOS是未來趨勢，在要求較高的汽車電子中應用會越來越多，都可廣泛應用于逆變器、鎮(zhèn)流器、適配器、充電器、PC電源、電視機電源、電焊機電源等各領域。
