
圖騰柱加驅(qū)動變壓器驅(qū)動MOSFET所遇問題待解決,請各位版主幫忙!
請前輩指點。這個電路的目的是驗證一個驅(qū)動電路。先將信號圖騰柱功率放大,然后經(jīng)變壓器隔離匝比是1.75:1 ,直接驅(qū)動MOSFET。(圖騰柱我沒有加隔離電容)
PWM信號用的波形發(fā)生器0-10V的方波
目前幾個問題如下
1.圖騰柱輸出電壓總是遠低于PWM信號的輸入電壓。應(yīng)該是9.3V左右但是輸出卻是5V左右。
2.圖騰柱的下管在做實驗的時候總是損壞。R7是我后加上去的,想解決下管損壞造成直通的問題不知道是否可行。
3.驅(qū)動的波形有些像是梯形波尖峰比較大 上升沿有臺階。磁材的初始磁導(dǎo)率比較高3300。有可能我的描述還不是很詳細(xì),請幫忙指出 謝謝。
1,5V左右是正常的,10/5.7=1.75/1
2,R7加上去的理由是什么?不加又會怎樣?Q2直通后直接把R7短路了,R7在這里起不到任何作用,把它加在Q2的C極還可以說有點限流作用.
3,你說的驅(qū)動波形是指那里?PWM?還是Q? MC6FETN
我指的5V是驅(qū)動變壓器的原邊,剛剛發(fā)現(xiàn)是上管損壞。后來加了個RD復(fù)位也是沒有效果只要一加上VCC上管就會損壞,上管的BE級開路。
R7的目的是為了讓MOS快速關(guān)斷,前面描述錯誤。其實不加也可以 我后邊已經(jīng)加了快速放電的Q3了。
驅(qū)動波形 變壓器原邊現(xiàn)在就出現(xiàn)問題,后邊還沒有波形
將R1,R7,R6還有跟D串聯(lián)的電阻都去掉吧,否則對波形都是會有影響的
圖騰跟變壓器之間的隔直電容還是需要的,變壓器中加入直流分量,你仔細(xì)想想會帶來什么后果?復(fù)位的二極管也要加上去
因為你的輸入電壓只有12V,所以驅(qū)動MOSFET的變壓器匝比1:1最好,按照你的匝比,MOSFET的驅(qū)動電壓可能會不太夠,引起很大的開關(guān)損耗
心中有冰 老師 您好 感謝您的指導(dǎo)。
我是否可以這樣理解 圖騰柱電路類似于推挽如果不加隔直電容,變壓器中加入直流分量引起磁飽合。所以電流流經(jīng)上管BE級開路損壞。
那如果是這樣的話我想直接用變壓器驅(qū)動MOSFET且要將PWM信號放大就不能用圖騰柱,或者如果用圖騰柱的話就必須要加隔直電容對嗎?
我來解釋一下這句話“想直接用變壓器驅(qū)動MOSFET且要將PWM信號放大就不能用圖騰柱”可能會有歧義。謝謝提醒 圖騰柱功率放大 很早我就說明了。我知道不是在放大電壓。我的意思是將我的PWM信號先功率(電流)放大然后接驅(qū)動變壓器(不接隔直電容)然后驅(qū)動MOSFET。變壓器的匝比先不用考慮。如果電壓不夠的話肯定是要選擇1:1的。目前我手頭上只有1.75:1的。我是用這個來驗證一下。我的意思是既然不接隔直電容那么就不能用圖騰柱了,因為其類似于推挽會在變壓器上產(chǎn)生直流分量。
以上有不當(dāng)?shù)?忘指出 謝謝
我覺得這是一個問題:PWM信號是0~10V的,而供電是12V,那么當(dāng)PWM為10V時,對于下管來說,E的電壓是12V,B的電壓是10V,此時E結(jié)還是可以導(dǎo)通,去掉上管的壓差,下管不說完全導(dǎo)能,至少可以工作,而此時上管也是導(dǎo)通的,這樣就直通了,所以會壞管子,輸出電壓肯定也不夠。一般來說,我用圖騰柱時,一定要保證PWM的電壓和VCC電壓一致。
圖騰柱我一般都用MOS管,導(dǎo)通壓降小一點,感覺更好一點,都取15發(fā),脈變1:1,到次級所要驅(qū)動的MOS管時電壓基本上也是15V。
還有,R1是一個20歐的電阻,供電是12V,這樣脈沖電流只有0.5A的樣子,到次級也就0.5A,對于小MOS還行,大一點的肯定不行。而R1這個電阻加了后會對圖騰柱起到保護作用,所以我一般取R1為4.7,在R1后對地接一個電解電容,一個獨石電容,這樣取電基本上都從電容取了,不會降低電壓,這樣即可以起到保護作用,還可以通過獨石電容濾去一些高頻的東西。
在圖騰柱的輸出的地方我一般接一個電阻并聯(lián)一個電容,電容可以加速前沿,這對次級驅(qū)動很有利,電阻可以起到保護作用。
R7不能要,只會增加損耗。
圖騰柱輸出的地方可以接兩個二極管4148,一個接到VCC上,一個接到地上,不用串電阻,也會對圖騰住起到很好的保護作用。
以上說的東西是個人的一些理解,不妥之處望大家批評指正。
你說的這種我在一些資料上面有看到過,很經(jīng)典。謝謝指點