
圖騰柱加驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)MOSFET所遇問(wèn)題待解決,請(qǐng)各位版主幫忙!
請(qǐng)前輩指點(diǎn)。這個(gè)電路的目的是驗(yàn)證一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。先將信號(hào)圖騰柱功率放大,然后經(jīng)變壓器隔離匝比是1.75:1 ,直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。(圖騰柱我沒(méi)有加隔離電容)
PWM信號(hào)用的波形發(fā)生器0-10V的方波
目前幾個(gè)問(wèn)題如下
1.圖騰柱輸出電壓總是遠(yuǎn)低于PWM信號(hào)的輸入電壓。應(yīng)該是9.3V左右但是輸出卻是5V左右。
2.圖騰柱的下管在做實(shí)驗(yàn)的時(shí)候總是損壞。R7是我后加上去的,想解決下管損壞造成直通的問(wèn)題不知道是否可行。
3.驅(qū)動(dòng)的波形有些像是梯形波尖峰比較大 上升沿有臺(tái)階。磁材的初始磁導(dǎo)率比較高3300。有可能我的描述還不是很詳細(xì),請(qǐng)幫忙指出 謝謝。
1,5V左右是正常的,10/5.7=1.75/1
2,R7加上去的理由是什么?不加又會(huì)怎樣?Q2直通后直接把R7短路了,R7在這里起不到任何作用,把它加在Q2的C極還可以說(shuō)有點(diǎn)限流作用.
3,你說(shuō)的驅(qū)動(dòng)波形是指那里?PWM?還是Q? MC6FETN
我指的5V是驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊,剛剛發(fā)現(xiàn)是上管損壞。后來(lái)加了個(gè)RD復(fù)位也是沒(méi)有效果只要一加上VCC上管就會(huì)損壞,上管的BE級(jí)開(kāi)路。
R7的目的是為了讓MOS快速關(guān)斷,前面描述錯(cuò)誤。其實(shí)不加也可以 我后邊已經(jīng)加了快速放電的Q3了。
驅(qū)動(dòng)波形 變壓器原邊現(xiàn)在就出現(xiàn)問(wèn)題,后邊還沒(méi)有波形
我怎么才能實(shí)現(xiàn)PWM信號(hào)放大+驅(qū)動(dòng)變壓器+MOSFET呢。目前我只能實(shí)現(xiàn)PWM信號(hào)放大+隔離電容+驅(qū)動(dòng)變壓器+MOSFET。請(qǐng)各位版主幫忙看下 謝謝。
將R1,R7,R6還有跟D串聯(lián)的電阻都去掉吧,否則對(duì)波形都是會(huì)有影響的
圖騰跟變壓器之間的隔直電容還是需要的,變壓器中加入直流分量,你仔細(xì)想想會(huì)帶來(lái)什么后果?復(fù)位的二極管也要加上去
因?yàn)槟愕妮斎腚妷褐挥?2V,所以驅(qū)動(dòng)MOSFET的變壓器匝比1:1最好,按照你的匝比,MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓可能會(huì)不太夠,引起很大的開(kāi)關(guān)損耗
心中有冰 老師 您好 感謝您的指導(dǎo)。
我是否可以這樣理解 圖騰柱電路類(lèi)似于推挽如果不加隔直電容,變壓器中加入直流分量引起磁飽合。所以電流流經(jīng)上管BE級(jí)開(kāi)路損壞。
那如果是這樣的話我想直接用變壓器驅(qū)動(dòng)MOSFET且要將PWM信號(hào)放大就不能用圖騰柱,或者如果用圖騰柱的話就必須要加隔直電容對(duì)嗎?
沒(méi)有理解你這句“想直接用變壓器驅(qū)動(dòng)MOSFET且要將PWM信號(hào)放大就不能用圖騰柱,或者如果用圖騰柱的話就必須要加隔直電容”
圖騰柱是對(duì)電流放大,如果你要得到更高的電壓的話可以在變壓器匝比上得到。
我來(lái)解釋一下這句話“想直接用變壓器驅(qū)動(dòng)MOSFET且要將PWM信號(hào)放大就不能用圖騰柱”可能會(huì)有歧義。謝謝提醒 圖騰柱功率放大 很早我就說(shuō)明了。我知道不是在放大電壓。我的意思是將我的PWM信號(hào)先功率(電流)放大然后接驅(qū)動(dòng)變壓器(不接隔直電容)然后驅(qū)動(dòng)MOSFET。變壓器的匝比先不用考慮。如果電壓不夠的話肯定是要選擇1:1的。目前我手頭上只有1.75:1的。我是用這個(gè)來(lái)驗(yàn)證一下。我的意思是既然不接隔直電容那么就不能用圖騰柱了,因?yàn)槠漕?lèi)似于推挽會(huì)在變壓器上產(chǎn)生直流分量。
以上有不當(dāng)?shù)?忘指出 謝謝
我覺(jué)得這是一個(gè)問(wèn)題:PWM信號(hào)是0~10V的,而供電是12V,那么當(dāng)PWM為10V時(shí),對(duì)于下管來(lái)說(shuō),E的電壓是12V,B的電壓是10V,此時(shí)E結(jié)還是可以導(dǎo)通,去掉上管的壓差,下管不說(shuō)完全導(dǎo)能,至少可以工作,而此時(shí)上管也是導(dǎo)通的,這樣就直通了,所以會(huì)壞管子,輸出電壓肯定也不夠。一般來(lái)說(shuō),我用圖騰柱時(shí),一定要保證PWM的電壓和VCC電壓一致。
圖騰柱我一般都用MOS管,導(dǎo)通壓降小一點(diǎn),感覺(jué)更好一點(diǎn),都取15發(fā),脈變1:1,到次級(jí)所要驅(qū)動(dòng)的MOS管時(shí)電壓基本上也是15V。
還有,R1是一個(gè)20歐的電阻,供電是12V,這樣脈沖電流只有0.5A的樣子,到次級(jí)也就0.5A,對(duì)于小MOS還行,大一點(diǎn)的肯定不行。而R1這個(gè)電阻加了后會(huì)對(duì)圖騰柱起到保護(hù)作用,所以我一般取R1為4.7,在R1后對(duì)地接一個(gè)電解電容,一個(gè)獨(dú)石電容,這樣取電基本上都從電容取了,不會(huì)降低電壓,這樣即可以起到保護(hù)作用,還可以通過(guò)獨(dú)石電容濾去一些高頻的東西。
在圖騰柱的輸出的地方我一般接一個(gè)電阻并聯(lián)一個(gè)電容,電容可以加速前沿,這對(duì)次級(jí)驅(qū)動(dòng)很有利,電阻可以起到保護(hù)作用。
R7不能要,只會(huì)增加損耗。
圖騰柱輸出的地方可以接兩個(gè)二極管4148,一個(gè)接到VCC上,一個(gè)接到地上,不用串電阻,也會(huì)對(duì)圖騰住起到很好的保護(hù)作用。
以上說(shuō)的東西是個(gè)人的一些理解,不妥之處望大家批評(píng)指正。
你說(shuō)的這種我在一些資料上面有看到過(guò),很經(jīng)典。謝謝指點(diǎn)