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為需要者設計各種規(guī)格的準諧振電源變壓器參數(shù)！有不有想做準諧振電源的兄弟？

給大家上傳一份能工作的用NCP1207A設計的12V5A準諧振電源電路圖。供大家設計參考用。

 

用NCP1207A設計的12V5A準諧振電源電路圖 

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小鞏
LV.11
2
2012-06-17 16:42
支持，
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2012-06-17 17:08
設計中有哪些問題呢？
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evdi
LV.6
4
2012-06-17 17:48

同步整流會不會有問題，在起機和短路狀態(tài)下，會不會出現(xiàn)同時導通情況導致炸機？

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peng425
LV.5
5
2012-06-17 20:03
@笨小孩1114
設計中有哪些問題呢？
沒有問題。用PQ2625變壓器。
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peng425
LV.5
6
2012-06-17 20:15
@evdi
同步整流會不會有問題，在起機和短路狀態(tài)下，會不會出現(xiàn)同時導通情況導致炸機？
起機時主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時NCP1207A會進入低功耗保護狀態(tài)，所以其輸出可以長時間短路也不會出現(xiàn)炸機。
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evdi
LV.6
7
2012-06-17 21:09
@peng425
起機時主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時NCP1207A會進入低功耗保護狀態(tài)，所以其輸出可以長時間短路也不會出現(xiàn)炸機。

同步整流的關鍵不是導通而是關斷，如果關斷之前初級mos已經(jīng)導通就有可能炸機，在起機和短路情況下，短路在段時間內(nèi)有可能進入CCM。

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mko145
LV.8
8
2012-06-17 21:17
@peng425
起機時主要靠IRF1312寄生二極管整流，輸出短路時NCP1207A會進入低功耗保護狀態(tài)，所以其輸出可以長時間短路也不會出現(xiàn)炸機。
能否提供一下在不同電壓和負載條件下的效率數(shù)據(jù) ~
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mly1985
LV.3
9
2012-06-18 08:35
@peng425
沒有問題。用PQ2625變壓器。

大哥能不能提供變壓器參數(shù)，495671533

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peng425
LV.5
10
2012-06-18 08:36
@evdi
同步整流的關鍵不是導通而是關斷，如果關斷之前初級mos已經(jīng)導通就有可能炸機，在起機和短路情況下，短路在段時間內(nèi)有可能進入CCM。
由于次級MOS的開通是在初級mos關斷后，初級mos不關斷，次級MOS不會導通。短路時進入CCM只要變壓器不出現(xiàn)磁飽和，就沒問題。
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peng425
LV.5
11
2012-06-18 08:46
@mko145
能否提供一下在不同電壓和負載條件下的效率數(shù)據(jù)~
AC220V輸入，滿載效率88%左右，同等條件下效率肯定要比硬開關方式的高，至于能高多少，決定于元器件選擇。
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peng425
LV.5
12
2012-06-18 09:32
@mly1985
大哥能不能提供變壓器參數(shù)，495671533

Lp=475(uH),Np=31（16+15）Ts（漆包線0.35*2）,Ns=4Ts(0.5m漆包線*5)，Na=4Ts(漆包線0.35）,PQ2625磁芯，請參考

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asouth
LV.8
13
2012-06-18 09:45
不錯，支持下！就是ON的芯片有點小貴！你NCP1207A是什么價？
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evdi
LV.6
14
2012-06-18 10:56
@peng425
由于次級MOS的開通是在初級mos關斷后，初級mos不關斷，次級MOS不會導通。短路時進入CCM只要變壓器不出現(xiàn)磁飽和，就沒問題。

你要反過來想，如果初級MOs開通是在次級Mos關斷之前怎么辦

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peng425
LV.5
15
2012-06-18 16:28
@evdi
你要反過來想，如果初級MOs開通是在次級Mos關斷之前怎么辦
不用反過來想，因為次級Mos的開通是在磁復位階段，而初級MOs開通是在勵磁階段。這兩個階段不可能重疊。
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peng425
LV.5
16
2012-06-18 16:38
@asouth
不錯，支持下！就是ON的芯片有點小貴！你NCP1207A是什么價？
我不賣ON的芯片，只是最近有點空閑時間，如有兄弟想做此類準諧振電源話，不管用哪家的IC,我都會提供建議。只想讓更多的兄弟了解這類電源，沒有別的意圖。
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peng425
LV.5
17
2012-06-18 19:53
有想做準諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。
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mko145
LV.8
18
2012-06-18 19:55
@peng425
有想做準諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。
實際上QR 對效率的提升幫助很有限 ~
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2012-06-18 21:12
學習
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peng425
LV.5
20
2012-06-19 07:35
@mko145
實際上QR對效率的提升幫助很有限~

但就是因為效率提高了5%左右，看似不多，卻可以大大減少散熱器的體積，因為這輸入60多W的5%，就是3W多的熱損耗?！　?/p>

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mko145
LV.8
21
2012-06-19 09:15
@peng425
但就是因為效率提高了5%左右，看似不多，卻可以大大減少散熱器的體積，因為這輸入60多W的5%，就是3W多的熱損耗。　　
5% ? 打錯字了吧，兄弟
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peng425
LV.5
22
2012-06-19 09:50
@mko145
5%?打錯字了吧，兄弟

硬開關的12V/5A輸出的電源效率應是83%左右。

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mko145
LV.8
23
2012-06-19 10:15
@peng425
硬開關的12V/5A輸出的電源效率應是83%左右。
83%？不會吧，閉著眼做，也不會低過85%。大把人做到87%、88%.  
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peng425
LV.5
24
2012-06-19 15:18
@mko145
83%？不會吧，閉著眼做，也不會低過85%。大把人做到87%、88%.  

效率的測量大多存在誤差，再討論這上下百分幾的數(shù)字沒什么意義。

但事實上同樣輸出功率的準諧振電源初級MOS和次級MOS的散熱片體積比硬開關的要小許多？你想實際效率不比硬開關高的話，散熱片體積能小嗎？

 

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mly1985
LV.3
25
2012-06-19 15:36
@peng425
Lp=475(uH),Np=31（16+15）Ts（漆包線0.35*2）,Ns=4Ts(0.5m漆包線*5)，Na=4Ts(漆包線0.35）,PQ2625磁芯，請參考

謝大哥，實驗中.

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peng425
LV.5
26
2012-06-19 16:50
@mly1985
謝大哥，實驗中.

如調(diào)試中有問題，請發(fā)貼。我會幫你解決。

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mko145
LV.8
27
2012-06-19 17:37
@peng425
效率的測量大多存在誤差，再討論這上下百分幾的數(shù)字沒什么意義。但事實上同樣輸出功率的準諧振電源初級MOS和次級MOS的散熱片體積比硬開關的要小許多？你想實際效率不比硬開關高的話，散熱片體積能小嗎？ 
好，不討論百分之幾了 ~
QR實際上并非軟開關，只是反激電源工作在 DCM模式。與普通DCM的區(qū)別在于MOSFET switch-on 的時機是A點還是B點，但不是 0電壓 . 差別有多大呢？ 對效率的影響顯然沒有 5% ~   peng 兄如果能提供你的60W電源的這個波形圖和一些參數(shù)，我可以幫你算一算
 
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peng425
LV.5
28
2012-06-19 20:36
@mko145
好，不討論百分之幾了~QR實際上并非軟開關，只是反激電源工作在DCM模式。與普通DCM的區(qū)別在于MOSFETswitch-on的時機是A點還是B點，但不是0電壓.差別有多大呢？對效率的影響顯然沒有5%~ peng兄如果能提供你的60W電源的這個波形圖和一些參數(shù)，我可以幫你算一算[圖片] 

不用算，單這一項肯定不能把效率提升5%。主要還有硬開關一般不用同步整流，即使用了在CCM模式下的效果也沒有準諧振BCM模式下的好。

但一般設計硬開關60W反激電源滿載時應是CCM模式工作，不是DCM.初級MOS開通應在A左上方，不是在B處。

而準諧振是工作在BCM變頻模式，滿載時初級MOS一定是在A處導通且工作頻率下降。

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2012-06-19 22:55
@peng425
有想做準諧振電源的兄弟嗎？想做的快來，過期不候。

非常想學，但水平太菜了。我覺得控制器+MOS管的方式元件太多了，用集成MOS英飛凌QR方案可以大減少元件數(shù)量，對業(yè)余制作也簡很多，你認為是不是一個好方法？

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peng425
LV.5
30
2012-06-20 06:42
@romantic878595
非常想學，但水平太菜了。我覺得控制器+MOS管的方式元件太多了，用集成MOS英飛凌QR方案可以大減少元件數(shù)量，對業(yè)余制作也簡很多，你認為是不是一個好方法？
想用英飛凌的也可以，只要你想做，我也能幫助你。
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2012-06-20 07:55
支持。。。
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