對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)終端或者通訊領(lǐng)域，很多項(xiàng)目都會(huì)用到SIM卡來(lái)實(shí)現(xiàn)通訊功能。但對(duì)于沒有接觸過這一塊的新手來(lái)說，很容易踩坑，今天核桃匯總一下，有需要的小伙伴可以收藏起來(lái)。
一般4G模塊的廠家都會(huì)提供“硬件開發(fā)手冊(cè)”，如上海移遠(yuǎn)的EC800K的硬件設(shè)計(jì)手冊(cè)。
一、原理圖設(shè)計(jì)
對(duì)于硬件工程師來(lái)說，在設(shè)計(jì)電路之前一定要詳細(xì)閱讀對(duì)應(yīng)模塊的“硬件設(shè)計(jì)手冊(cè)/硬件開發(fā)手冊(cè)”，這里面都是涉及到硬件相關(guān)的注意事項(xiàng)，如下SIM卡電路：
（1）ESD管和電容必不可少。
（2）重點(diǎn)的數(shù)據(jù)線和時(shí)鐘線都會(huì)串入電阻。
（3）SIM_DATA會(huì)加入上拉電阻。下面是SIM的管腳定義：
ESD管在選型中也需要注意：
（1）必須選擇結(jié)電容≤10pF的器件，避免高頻信號(hào)衰減（SIM卡時(shí)鐘頻率通常在1-5MHz）。
（2）響應(yīng)時(shí)間需＜1ns，確保在ESD事件發(fā)生時(shí)迅速導(dǎo)通泄放能量。
（3）鉗位電壓（Vc）必須低于SIM卡工作電壓（典型值1.8V/3.0V±5%），且VC值需低于被保護(hù)芯片的耐壓極限。
（4）建議選擇VRWM ≥5V的器件（如5V TVS管），覆蓋SIM卡電壓波動(dòng)范圍。
（5）SIM卡接口電壓極性可能雙向變化，優(yōu)先選用雙向ESD二極管（如SMF05C集成方案）。
（6）優(yōu)選SOT-363、DFN1006等緊湊封裝，適應(yīng)SIM卡座周邊緊湊布局。圖中的33pF電容也是不能省略的，33pF主要過濾掉900MHZ頻段的高配干擾，
在信號(hào)線中串入0Ω的電阻主要是為了后期方便調(diào)試。R24上拉電阻，增加信號(hào)線的抗干擾能力。
二、PCB布局走線要求
（1）ESD器件必須緊貼SIM卡座引腳（距離≤5mm），縮短保護(hù)路徑
（2）SIM卡槽盡量靠近模塊放置，保證SIM卡的信號(hào)線長(zhǎng)度不能超過200mm。
（3）SIM卡信號(hào)線遠(yuǎn)離高配線路和電源線。
（4）SIM VDD的電源管腳處的旁路電容要靠近SIM卡槽放置。
（5）ESD管，電容，SIM卡槽，在布局時(shí)一定要保證后期走線的順暢性，不能東擺一個(gè)西擺一個(gè)。
（8）如果空間允許，SIM_CLK時(shí)鐘線建議單獨(dú)包地處理。
（9）由于SIM的電源是由模塊提供的，所以模塊出來(lái)的電源必須要先經(jīng)過電容才能給到SIM。