在實(shí)際項(xiàng)目中，很多小伙伴經(jīng)常遇到電源芯片莫名其妙就損壞了，私底下也咨詢過(guò)核桃，其實(shí)電源芯片損壞無(wú)非就這幾個(gè)原因：

（1）過(guò)壓，輸入電壓超過(guò)了芯片的最大耐壓值。

（2）過(guò)流，電路中存在短路，而芯片本身不具備短路保護(hù)功能。

（3）過(guò)溫，電路的使用環(huán)境惡劣，或者負(fù)載過(guò)重，導(dǎo)致芯片溫升過(guò)快（芯片不具備過(guò)溫保護(hù)的前提下）

（4）正負(fù)接反，這個(gè)想必很多小伙伴都遇到過(guò)，正負(fù)接反，芯片就直接炸了。

今天就抽空和大伙來(lái)聊一聊具備：過(guò)流，過(guò)壓，防反接，防浪涌，緩啟動(dòng)的輸入電路。

具體電路如下：

一、過(guò)流保護(hù)使用保險(xiǎn)絲來(lái)做過(guò)流保護(hù)，當(dāng)負(fù)載出現(xiàn)短路大電流時(shí)，可以迅速斷開輸入電壓，起到保護(hù)設(shè)備的作用。

二、浪涌保護(hù)對(duì)于浪涌保護(hù)，最常用的就是使用TVS管，TVS管可以在極短的時(shí)間內(nèi)削弱浪涌電流，從而保護(hù)后級(jí)設(shè)備。具體原理和選型可以戳下面這篇文章：TVS管幾點(diǎn)選型經(jīng)驗(yàn)！

三、防反接保護(hù)顧名思義，就是在正負(fù)接反是能切斷電流回路的電路，當(dāng)正負(fù)正確接入，電路也能正常工作的電路，就是防反接電路，這里采用NMOS來(lái)做開關(guān)管，具有載流能力強(qiáng)，內(nèi)阻低，發(fā)熱量低等優(yōu)勢(shì)。其中R1是限流電阻，主要保護(hù)ZD1，ZD1是9.1V的穩(wěn)壓管，ZD1主要作用是保護(hù)Q66 NMOS的柵極過(guò)大而損壞。

對(duì)于其他防反接電路，具體文章可戳這篇：正負(fù)極接反直接炸板子！防反接電路你需要了解一下！

四、過(guò)壓保護(hù)其實(shí)過(guò)壓保護(hù)電路核桃之前也有寫過(guò)，這里就不再贅述原理了，具體可戳下面這篇文章：輸入接口電路設(shè)計(jì)——過(guò)壓保護(hù)電路分析

和之前文章的區(qū)別在于ZD2，因?yàn)楸疚恼碌碾娐份斎腚妷簳r(shí)24V的，所以穩(wěn)壓二極管ZD2選擇的是27V的穩(wěn)壓管，也就是當(dāng)輸入電壓超過(guò)27V時(shí)，就是觸發(fā)電路的過(guò)壓保護(hù)。

五、緩啟動(dòng)電路緩啟動(dòng)電路主要依靠C2電容充放電的原理。電路剛上電瞬間（電壓不能突變），電容C2相當(dāng)于短路，致使Q1三極管B極電壓拉低而導(dǎo)通，24V輸入電壓從三極管Q1加載到MOS管Q2的柵極，由于Vgs不能滿足小于0V的要求，故MOS管Q2截止。隨著上電時(shí)間的延長(zhǎng)，電容開始慢慢充電，電容的內(nèi)阻也逐漸增大，當(dāng)電容兩端電壓達(dá)到約等于輸入電壓時(shí)，三極管Q1截止，致使MOS管Q2柵極電平拉低，從而導(dǎo)通，后級(jí)負(fù)載正常得電。這就是緩啟動(dòng)的整個(gè)流程。