電源輸出禁用電路包括帶有附加電容的串聯(lián)通路開關，以減少串聯(lián)通路開關的開啟電流尖峰。

描述：

為了滿足嚴格的待機功耗規(guī)范，當待機信號有效時，電源可能會斷開其輸出。 通常，這是通過關閉串聯(lián)雙極結晶體管 (BJT) 或 MOSFET 來實現(xiàn)的。 對于較低的電流輸出，BJT 是 MOSFET 的可行替代方案，因為 BJT 的成本較低。 只要在電源變壓器的設計中考慮到 BJT 的額外壓降，就可以使用 BJT。

圖 1. 軟啟動電路在待機期間禁用電源輸出，同時降低晶體管 Q1 傳導的開啟電流尖峰。

圖 1 顯示了一個用于 12 V、100 mA 輸出的簡單 BJT 系列通路開關，它具有顯著的電容 CLOAD。 三極管Q1是串聯(lián)通路元件，三極管Q2根據待機信號的狀態(tài)開啟和關閉三極管Q1。 電阻器 R1 的大小使得晶體管 Q1 的基極電流足以保證它在最小 beta 和最大輸出電流下工作在飽和狀態(tài)。 附加電容器 CNEW 可調節(jié)晶體管 Q1 導通時的瞬態(tài)電流。 如果沒有 CNEW，Q1 會非常迅速地接通到容性負載 CLOAD 并傳導大量電流尖峰。 晶體管 Q1 需要加大尺寸以適應這種瞬態(tài)尖峰，從而增加成本。

電容 CNEW 充當晶體管 Q1 的附加“米勒電容”，電容 CNEW 消除了瞬態(tài)電流尖峰。 額外的電容 CNEW 限制了晶體管 Q1 集電極的 dv/dt。 較低的 dv/dt 會導致電容 CLOAD 的充電電流較低。 可以選擇 CNEW 的電容，使得晶體管 Q1 的所需輸出 dv/dt 乘以電容 CNEW 的值將等于流入電阻器 R1 的電流。