本部分列出有關(guān)繞組順序以及如何采用Power Integrations特有的E-Shield技術(shù)的一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。采用屏蔽繞組，不僅可省去共模扼流圈，而且可降低初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間連接的Y級(jí)電容的值，甚至無(wú)需Y級(jí)電容， 從而提高傳導(dǎo)EMI性能并簡(jiǎn)化輸入濾波級(jí)。
圖1 采用E-Shield (WD1)的典型變壓器電路原理圖
圖2 帶屏蔽繞組的LYTSwitch-2變壓器的典型繞制結(jié)構(gòu)
屏蔽繞組
變壓器的第一層是屏蔽繞組(WD1)。從PIXls獲得初級(jí)繞組圈數(shù)NP， 然后除以層數(shù)L，得出圈數(shù)。將得出的圈數(shù)再除以2 (NSHEILD = 0.5 × (NP/L))。這樣可得出起始值。請(qǐng)注意，屏蔽繞組的起始點(diǎn)（黑點(diǎn)） 位于從初級(jí)繞組起始的骨架的另一側(cè)。屏蔽繞組的末端是浮動(dòng)的。選擇 與骨架寬度完全吻合的線規(guī)。
初級(jí)繞組
第二個(gè)繞組(WD2)是初級(jí)側(cè)。繞組圈數(shù)NP、層數(shù)L 以及線規(guī)AWG?？墒褂? mm的膠帶層，通過降低變壓器設(shè)計(jì)對(duì)制造差異的敏感性來(lái)改善EMI的可重復(fù)性。要將膠帶寬度計(jì)算在內(nèi)，請(qǐng)將1 mm的寬度值插入計(jì)算方程中。
反饋繞組
反饋繞組是骨架上的第三層繞組(WD3)。圈數(shù)NFB。要降低傳導(dǎo)EMI干擾，此繞組必須完全覆蓋骨架寬度。采用多股并繞繞組可實(shí)現(xiàn)上述目的，不過要想獲得最佳線規(guī)和并繞股數(shù)，可能還需進(jìn)行一些試驗(yàn)。出于可制造性方面的考慮，一般建議并繞股數(shù)不超過4股， 因?yàn)槎喙刹⒗@繞組是同時(shí)連接在單個(gè)骨架引腳上的。
次級(jí)繞組
最后一層繞組是次級(jí)繞組(WD4)。在骨架一側(cè)開始次級(jí)側(cè)繞組，與反饋繞組的起始處在同一側(cè)。選擇與骨架繞組窗口寬度完全吻合的線規(guī)。建議次級(jí)繞組使用三層絕緣線，這樣就無(wú)需使用膠帶擋墻即可符合安全間距要求（通常為6 mm到6.2 mm），還可減小所需的變壓器磁芯尺寸。