在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下運(yùn)行的隔離式反激電源的初級側(cè)控制器可以使用初級側(cè)繞組來感測和調(diào)節(jié)輸出電壓，如圖 1 所示。感測繞組提供開關(guān)反饋電壓 VFB， 當(dāng)輸出整流器導(dǎo)通時(shí)，在時(shí)間 TFB 期間門控到電容器充放電電路。 當(dāng) VFB 大于所需的調(diào)節(jié)值 VREF 時(shí)，電容器放電。 當(dāng) VFB 小于 VREF 時(shí)，電容器以下降的速率充電。 TFB 末端電容器上的電壓決定了驅(qū)動初級開關(guān)的脈寬調(diào)制器 (PWM) 的占空比。 為了穩(wěn)定運(yùn)行和快速瞬態(tài)響應(yīng)，當(dāng) VFB 大于 VREF 時(shí)，電容器必須放電至恒定的復(fù)位值 VRESET。 充電電流應(yīng)隨著電容器電壓的增加而降低，以在輕負(fù)載時(shí)提供更高的控制增益，并在高負(fù)載時(shí)提供更低的控制增益。

功能描述：

圖 1 顯示，當(dāng)開關(guān) S1 在開關(guān)周期 TS 內(nèi)的時(shí)間 TON 期間傳導(dǎo)電流 ID 時(shí)，反饋電壓 VFB 為負(fù)。 VFB為正，代表輸出整流器D1導(dǎo)通次級電流IS時(shí)TFB時(shí)間段內(nèi)的輸出電壓VO，對于CCM來說是開關(guān)S1打開的時(shí)間。隨著次級電流 IS 減小，VFB 通常在時(shí)間 TFB 期間具有減小的值從初始峰值。直流輸出電壓 VO 上的交流紋波電壓通常由電流 IS 和電容器 CO 的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 主導(dǎo)。圖 2 是一個(gè)示例門控、充放電和 PWM 電路。當(dāng)VFB小于或大于VREF時(shí)，開關(guān)電流源I1和I2分別對電容器C1充電和放電。將 C1 上的電壓 VPWM 與斜坡電壓 VSAW 進(jìn)行比較，以產(chǎn)生用于初級開關(guān) S1 的脈寬調(diào)制輸出電壓 VDRIVE。圖 3 更詳細(xì)地顯示了圖 2 的波形，重點(diǎn)是相關(guān)的時(shí)序關(guān)系。

圖 1. 在連續(xù)導(dǎo)通模式下運(yùn)行的隔離式反激電源示例，該電源使用帶有電容器充放電電路的控制器來處理來自以初級側(cè)為參考的繞組的反饋信號。 脈寬調(diào)制器以與從電容器充放電電路接收的信號相對應(yīng)的占空比驅(qū)動初級開關(guān)S1。

圖 2 一個(gè)電容充放電電路和脈寬調(diào)制器示例，用于在連續(xù)導(dǎo)通模式下工作的反激電源。 反饋電壓 VFB 的正部分與參考電壓 VREF 進(jìn)行比較，以柵極電流源 I1 和 I2 對電容器 C1 進(jìn)行充電和放電。 電流源 I1 的值隨著電容器 C1 上電壓 VPWM 的增加而減小。 VPWM 與斜坡電壓 VSAW 進(jìn)行比較以產(chǎn)生脈寬調(diào)制驅(qū)動電壓 VDRIVE。 在本例中，I1 從初始值 I0 以斜率 1/RK 線性下降。

圖 3. 波形顯示了來自圖 2 的示例控制電路的信號的時(shí)序關(guān)系。在反饋間隔 TFB 期間降低反饋電壓 VFB 與代表輸出電壓 VO 的所需值的參考值 VREF 交叉。 選擇圖 2 電路中的電流源 I2 以在電流源 I2 為 C1 充電之前將電容器 C1 放電至恒定復(fù)位值 VRESET。 在一些示例中，VRESET 的值可以是零伏。 隨著 VPWM 的增加，電流源 I1 的減小值使控制器在輕負(fù)載時(shí)具有更高的增益，在高負(fù)載時(shí)具有更低的增益，從而在廣泛的負(fù)載范圍內(nèi)產(chǎn)生穩(wěn)定的操作和快速的瞬態(tài)響應(yīng)。