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在智能門(mén)鎖的觸摸方案中，有電感式觸摸、電容式觸摸、機(jī)械按鍵觸摸，基于成本、方案成熟度、結(jié)構(gòu)空間限制問(wèn)題，電容式觸控目前已然成為智能門(mén)鎖觸控的首選方案。閱讀本文之前，關(guān)于電容式觸摸的基本原理可查看《智能門(mén)鎖：觸控原理概述》。

觸控設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：覆蓋層選擇、電磁兼容性、PCB布局走線

覆蓋物選擇

選擇覆蓋材料考慮的關(guān)鍵因素：電容耦合性能（介電常數(shù)）

材料上需要注意，介電常數(shù)越高，手指與傳感器板之間的電容耦合性能就越好，如下幾款材料，除空氣、木頭外，都適合用作覆蓋材料。

結(jié)構(gòu)上必須注意，盡量不要在傳感器與覆蓋材料之間留有空隙，由于空隙可能聚集水分，當(dāng)溫度突然改變時(shí)這些水分可能凝聚到傳感器表面，導(dǎo)致觸摸異常。

厚度上必須注意，對(duì)應(yīng)不同材料觸控芯片都會(huì)有最大的覆蓋物厚度限制，比如大多數(shù)芯片方案玻璃的最大厚度必須控制在3mm以內(nèi)，超過(guò)這個(gè)厚度，觸控靈敏度明顯下降。

電磁兼容性（EMC）

電磁兼容性與材料、結(jié)構(gòu)、電路設(shè)計(jì)都相關(guān)；

材料上，如下為一些常用材料12kV ESD保護(hù)的最小厚度，在結(jié)構(gòu)上，避免觸控板與外界直接可物理接觸；

電路設(shè)計(jì)上參考如下幾個(gè)點(diǎn)：

1. 在觸摸芯片VDD與GND之間并聯(lián)放置0.1uf電容，起退耦和旁路作用，該電容盡量接近芯片電源；

2. 適當(dāng)增大觸控按鍵通道匹配電阻，如在按鍵通道引線上靠近芯片端串聯(lián)100Ω電阻，可以降低脈沖電平邊沿的陡峭程度，減少高次諧波。該匹配電阻是否需要預(yù)留具體參考芯片推薦設(shè)計(jì)；

3. 鋪地，將觸控焊盤(pán)到芯片之間的走線進(jìn)行包地處理，吸收電磁輻射，另外，焊盤(pán)背面若鋪地，可采用網(wǎng)格鋪地的方式，既保證靈敏度，又可提升抗干擾能力。針對(duì)不同芯片設(shè)計(jì)效果，有些方案可能會(huì)推薦實(shí)鋪地的方式

   PCB布局走線

1. 盡量減少走線和觸控傳感器的的寄生電容，當(dāng)走線縮短變窄時(shí)，走線電容會(huì)變小，有些芯片為了調(diào)節(jié)走線電容，會(huì)在芯片端預(yù)留電容位置，用以調(diào)節(jié)靈敏度；

2. 走線寬度、間隙查看芯片推薦值，以sypress Capsense推薦為例：走線不能大于7mil（0.18mm），走線必須圍繞著網(wǎng)格接地，且走線與接地間的間隙介于 10 mil 到20 mil（0.25 mm 到 0.51 mm）之間；

3. 為避免信號(hào)串?dāng)_，不要在通信線路接近的地方走線，如果必須交叉，則需要確保交叉點(diǎn)呈直角

4. 使用最小的過(guò)孔數(shù)量，為了減短走線長(zhǎng)度，可將過(guò)孔放置在傳感器的導(dǎo)電片上

5. 接地，在感應(yīng)板的頂層、底層進(jìn)行接地層填充，對(duì)于實(shí)地、網(wǎng)格地，包括網(wǎng)格地與間隙的問(wèn)題，由于實(shí)地、過(guò)于密集的GND會(huì)增加電容，相對(duì)降低靈敏度，因此需要在維持良好的觸摸信號(hào)和增加系統(tǒng)抗噪能力之間進(jìn)行權(quán)衡。以sypress capsense推薦為例，網(wǎng)格接地規(guī)格是：25%在頂層（7 mil 線路， 45 mil 間距）和 17%在底層（7 mil 線路， 70 mil 間距）

6. 在芯片選型時(shí)，可關(guān)注是否支持接近感應(yīng)功能，接近感應(yīng)功能可在手指尚未觸碰至覆蓋材料時(shí)即開(kāi)啟快速偵測(cè)功能，且對(duì)于水滴引發(fā)的誤觸發(fā)可通過(guò)加屏蔽電極的方法起到一個(gè)屏蔽處理的功能。