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文中,說(shuō)明部分的一些符號(hào)漏了,是不是參考得不夠仔細(xì).目前雖然這個(gè)技術(shù)雖然挺熱的,到底做得怎么樣,最后的精度有多少,如何改善,拭目以待

產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)這里批評(píng)一下,希望對(duì)路過(guò)的朋友有所警示:針對(duì)ABZ信號(hào),也沒(méi)有計(jì)算一下信號(hào)的頻率和要求的轉(zhuǎn)換速度,就給出了電路,1.3K的電阻是否合適驅(qū)動(dòng)光藕?阻容的時(shí)間是否滿足信號(hào)變化需求？這里的阻容時(shí)間這么長(zhǎng)是否還需要這么高速的光藕?正反邊沿的延長(zhǎng)時(shí)間誤差有多少,對(duì)系統(tǒng)的影響有沒(méi)有必要評(píng)估一下

邊沿時(shí)間,通常定義的是 10%~90%范圍的時(shí)間

確實(shí),保護(hù)電路是那么的重要,卻又是往往不被足夠重視的部分.如果有強(qiáng)悍的外設(shè),純硬件的保護(hù)也并非必須,不過(guò)在新產(chǎn)品的研制還是很必要的.保護(hù)電路非常依賴應(yīng)用要求,這個(gè)電路還是比較簡(jiǎn)單的,有些地方還會(huì)需要自鎖解鎖,信號(hào)來(lái)源判斷等功能.

寫得挺詳細(xì)的，我看如果能夠把搭建的過(guò)程也描述一下，可以作為教程推薦給學(xué)習(xí)者了。

是不是有個(gè)電路圖看看?看圖片的樣子還是有點(diǎn)古代版本.現(xiàn)代的可以借助MCU精確的控制電流或功率. 當(dāng)然,如果負(fù)載吸收的能量不是熱消耗,而是儲(chǔ)存起來(lái), 將更好啦

STM32之多任務(wù)裸機(jī)， 本文內(nèi)容和題目好像切合度不高。怎么做才能使整個(gè)單片機(jī)系統(tǒng)的框架更加簡(jiǎn)潔方便可靠。這一點(diǎn)值得贊賞，做完一個(gè)項(xiàng)目回頭想一想，怎樣才能更好，是學(xué)習(xí)進(jìn)步的好方法。多任務(wù)和裸機(jī)是個(gè)矛盾的說(shuō)法。因?yàn)槿蝿?wù)一詞已經(jīng)再OS里嚴(yán)格定義。那就不妨理解成需要處理的多個(gè)事務(wù)吧

"MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。"雖然不建議刨根問(wèn)底,還是得說(shuō)說(shuō),所謂結(jié)型FET有增強(qiáng)型或耗盡型，但MOSFET(金屬氧化物)FET只有增強(qiáng)型。

實(shí)際上是一個(gè)RC延時(shí)電路,和一個(gè)帶正反饋的遲滯比較器. R3,和穩(wěn)壓管都可以不要的.

注意: 如果是異步電機(jī), 還要計(jì)算轉(zhuǎn)差率的問(wèn)題. 通過(guò)轉(zhuǎn)速給定進(jìn)行閉環(huán)控制；轉(zhuǎn)差率導(dǎo)致轉(zhuǎn)子位置和速度不能同步.