在進(jìn)行電路設(shè)計時很多人都希望能夠?qū)MI進(jìn)行最大程度的降低。說到需要降低EMI，就需要針對輻射源進(jìn)行優(yōu)化，本文就將為大家介紹輻射源與EMI增高與降低之間的關(guān)系。

EMI輻射源

在每個開關(guān)周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當(dāng)能量釋放時將在開關(guān)節(jié)點（VSW）上產(chǎn)生一個很大的電壓尖峰，其最大可達(dá)輸入電壓的兩倍，如圖3所示。當(dāng)MOSFET的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關(guān)動作還使輸入電流以及流過頂端MOSFET（ITOP）和底端MOSFET（IBOT）的電流產(chǎn)生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和PCB板印制線（其充當(dāng)了發(fā)射天線）上產(chǎn)生電波，從而產(chǎn)生輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射。

圖1：12V輸入降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器中的典型開關(guān)節(jié)點電壓尖峰和振鈴

當(dāng)輸人電壓和輸出電流增加時，每個周期中功率電感器改變極性時開關(guān)節(jié)點上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內(nèi)部產(chǎn)生的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測試器件所處的電氣操作條件。一般來說，輻射噪聲將隨著輸人電壓和輸出功率（特別是輸出電流）的提高而增加。由于作為低噪聲替代方案的線性穩(wěn)壓器效率過低，而且在高電壓和高功率級別下耗散過多的熱量，因此設(shè)計工程師不得不克服因采用最先進(jìn)的開關(guān)電源解決方案而引發(fā)的難題，其中的EMI抑制變得頗為棘手。

圖2：在96W輸出功率下LTM4613（DC1743）的EN55022標(biāo)準(zhǔn)相符性演示（由獨(dú)立測試機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)實施）