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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiC MOSFET,進一步降低應用損耗并提高可靠性

2022-03-31 16:41 來源:英飛凌 編輯:電源網(wǎng)

【2022年3月31日,德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù),廣泛適用于大功率應用,包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。

CoolSiC 650 V TO263-7_副本

新產(chǎn)品可在更大電流下提供更出色的開關(guān)性能,相比于最佳硅器件,其反向恢復電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%。通過降低開關(guān)損耗,該產(chǎn)品可在縮小系統(tǒng)尺寸的同時,實現(xiàn)開關(guān)頻率,從而提高能效和功率密度。溝槽技術(shù)為實現(xiàn)卓越的柵極氧化層可靠性奠定了基礎(chǔ),加之經(jīng)過優(yōu)化的耐雪崩擊穿能力和短路耐受能力,即使在惡劣環(huán)境中亦可確保極高的系統(tǒng)可靠性。SiC MOSFET不僅適用于連續(xù)硬換向情況,而且可以在高溫等惡劣條件下工作。由于它們的導通電阻(RDS(on))受溫度的影響小,這些器件實現(xiàn)了出色的熱性能。

由于具備較寬的柵源電壓(VGS)范圍,為-5 V至23 V, 支持0 V關(guān)斷以及大于4 V的柵源閾值電壓(VGS(th)),新產(chǎn)品可以搭配標準的MOSFET柵極驅(qū)動器IC使用。此外,新產(chǎn)品支持雙向拓撲,具有完全的dv/dt可控性,有助于降低系統(tǒng)成本和復雜度,并且易于在設計中使用和集成。.XT互連技術(shù)大幅提高了封裝的散熱性能。與標準互連技術(shù)相比,.XT互連技術(shù)可額外耗散30%的損耗。英飛凌新推出的采用D2PAK 7引腳封裝的SiC MOSFET產(chǎn)品組合包括10款新產(chǎn)品,是市面上型號最齊全的產(chǎn)品系列之一。

供貨情況

采用D2PAK 7引腳封裝(TO-263-7)的650 V CoolSiC MOSFET系列新產(chǎn)品現(xiàn)已開放訂購。如需了解更多信息,敬請訪問www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.

如需進一步了解英飛凌為提高能源效率所做出的貢獻,敬請訪問:www.infineon.com/green-energy

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