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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

2023-12-07 16:29 來源:英飛凌 編輯:電源網(wǎng)

【2023年12月7日,德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長,需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢,推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。

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OptiMOS 7 功率MOSFET

該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置(Source-Down)封裝,標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇;此外,該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS? 7 15 V技術專為低輸出電壓下的DC-DC轉換定制,尤其適合服務器和計算環(huán)境。這項先進技術符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉換的新趨勢。

與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比,全新OptiMOS? 7 15 V通過降低擊穿電壓,將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%,并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號提供更靈活優(yōu)化的PCB設計。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過500 A,典型RthJC為1.6 K/W。通過最大程度地減少傳導和開關損耗并采用先進的封裝技術,實現(xiàn)了簡化散熱管理,樹立了功率密度和整體效率的新標桿。

供貨情況

OptiMOS 7 15 V產(chǎn)品組合現(xiàn)已開放訂購并提供兩種封裝尺寸:PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。更多信息,請訪問:www.infineon.com/optimos-7-15v。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

更多信息,請訪問www.infineon.com

更多新聞,請登錄英飛凌新聞中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/  

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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