【2024年3月14日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750 V G1技術(shù)的特點(diǎn)是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值（FOM），在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中均具有超高的效率。其獨(dú)特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對(duì)寄生導(dǎo)通的高度穩(wěn)健性并且實(shí)現(xiàn)了單極柵極驅(qū)動(dòng)，不僅提高了功率密度，還降低了系統(tǒng)成本。所有半導(dǎo)體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術(shù)，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設(shè)計(jì)加上英飛凌的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)保證了長(zhǎng)期穩(wěn)定的性能。

全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列在25°C時(shí)的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設(shè)計(jì)上具有較低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)功率環(huán)路電感，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列采用了先進(jìn)的QDPAK頂部冷卻封裝。

供貨情況

適用于汽車應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝；適用于工業(yè)應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes和系列網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工，在2023財(cái)年（截至9月30日）的營(yíng)收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國(guó)的OTCQX國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市（股票代碼：IFNNY）。

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英飛凌中國(guó)

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng)，在中國(guó)擁有約3,000多名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。