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芯派電子---TECH NOTE-MOSFET應(yīng)用選擇

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2015-03-11 11:32
一個個圖片點(diǎn)進(jìn)去，放大看了，看的好費(fèi)勁啊，強(qiáng)烈要求樓主把整個PDF的文件傳上來，方便下載。
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gzy830515
LV.2
3
2015-03-11 14:31
強(qiáng)烈要求樓主以附件形式上傳。
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2015-03-12 09:23
@gzy830515
強(qiáng)烈要求樓主以附件形式上傳。
+1
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2015-03-12 09:38
@電源網(wǎng)-娜娜姐
+1[圖片]

多謝娜娜和各位的支持，上傳PDF完整版的格式，供大家參考。

芯派電子TECH NOTE ET1002.pdf

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tabing_dt
LV.10
6
2015-04-02 21:16
這個資料講得不錯哦，選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差。學(xué)習(xí)了。
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2015-05-05 22:22
有完整版的嗎？
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xxbw6868
LV.10
8
2015-05-05 22:36
@陌路絕途
有完整版的嗎？
有，看5貼，樓主已經(jīng)上傳了。。
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xxbw6868
LV.10
9
2015-05-05 22:39
@semipower_X1
多謝娜娜和各位的支持，上傳PDF完整版的格式，供大家參考。芯派電子TECHNOTEET1002.pdf
關(guān)斷損耗具體要怎么測試出來呢？
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2015-05-06 00:12
@semipower_X1
多謝娜娜和各位的支持，上傳PDF完整版的格式，供大家參考。芯派電子TECHNOTEET1002.pdf

不錯的資料，還是看pdf舒服，圖片不好操作

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2015-05-06 00:13
樓主針對這個流程圖再深入講一下被
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2015-05-06 09:40
MOSFET串聯(lián)應(yīng)用，在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動一致性的條件下，還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動技術(shù)，以保證多只MOSFET串聯(lián)組成高壓大功率高頻開關(guān)。
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zrk787
LV.8
13
2015-05-06 15:13
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算。
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001pp
LV.5
14
2015-05-06 15:50
@xxbw6868
關(guān)斷損耗具體要怎么測試出來呢？
測波形計算
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wuyh123
LV.6
15
2015-05-06 22:06
@zrk787
在器件設(shè)計選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計算。
這個資料講的很好，上面寫著id選擇3-5倍，是指mos的最大電流，還在在高溫連續(xù)流過的電流呢。
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飛翔2004
LV.10
16
2015-05-07 00:46
@001pp
測波形計算
也在關(guān)注這個，能否具體講講？
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2015-06-04 20:46
@wuyh123
這個資料講的很好，上面寫著id選擇3-5倍，是指mos的最大電流，還在在高溫連續(xù)流過的電流呢。
嚴(yán)格按照這個標(biāo)準(zhǔn)選型，產(chǎn)品出現(xiàn)各種不必要的故障會大大減少。
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hk123456
LV.4
18
2015-06-04 22:39
@flowerhuanghua1
嚴(yán)格按照這個標(biāo)準(zhǔn)選型，產(chǎn)品出現(xiàn)各種不必要的故障會大大減少。
MOSFEF 的驅(qū)動要求由其柵極總充電電量（ Qg ）參數(shù)決定。在滿足其它參數(shù)要求的情況下，盡量選擇Qg 小者以便驅(qū)動電路的設(shè)計。驅(qū)動電壓選擇在保證遠(yuǎn)離最大柵源電壓（ VGSS ）前提下使Ron 盡量小的電壓值（一般使用器件規(guī)格書中的建議值）。
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2015-06-05 13:19
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差。學(xué)習(xí)了。
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2015-06-05 13:58
@陌路絕途
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的Ron值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差。學(xué)習(xí)了。
在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動一致性的條件下，還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動技術(shù)
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2015-06-07 23:19
@陌路絕途
MOSFET串聯(lián)應(yīng)用，在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動一致性的條件下，還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動技術(shù)，以保證多只MOSFET串聯(lián)組成高壓大功率高頻開關(guān)。
MOSFET串聯(lián)與并聯(lián)應(yīng)用，在實(shí)際電路中會有很多問題。用過一次，調(diào)試太費(fèi)勁。后來的電路，就避免這樣的電路結(jié)構(gòu)了
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001pp
LV.5
22
2015-07-01 11:02
@得意的小女生
在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動一致性的條件下，還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動技術(shù)
再回來瞅瞅
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2015-07-08 10:46
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差。
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buer1209
LV.7
24
2015-07-08 12:33
資料不錯  MOSFET的選擇不僅要考慮電壓電流范圍  還有很多其他因素都在溫度里介紹了  學(xué)習(xí)
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2015-07-08 13:13
@buer1209
資料不錯 MOSFET的選擇不僅要考慮電壓電流范圍 還有很多其他因素都在溫度里介紹了 學(xué)習(xí)
手冊了后面的性能描述表，很有用的，仔細(xì)剖析
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2015-07-08 15:42

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？分四步：

1）溝道的選擇。

2）電壓和電流的選擇。

3）計算導(dǎo)通損耗。

4）計算系統(tǒng)的散熱要求。

開關(guān)損耗其實(shí)也是一個很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。

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tom307
LV.4
27
2015-07-08 17:17
在開關(guān)電源里用的最多的還是MOSFET啊  今天學(xué)習(xí)了好幾個MOSFET的帖子  不錯
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2015-07-08 20:51
@陌路絕途
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的Ron值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差。學(xué)習(xí)了。
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差。學(xué)習(xí)了。
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2015-07-09 19:08
選擇MOS管的幾個基本參數(shù)都講到了。小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗。
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2015-07-11 00:54
器件的選型，往往能決定電路最終調(diào)試的成敗。因此很多電氣工程師都會在設(shè)計電路的過程中仔細(xì)的分析、計算、對比。就像樓主這樣做，是很有必要而且必不可少的。
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fredsdu
LV.3
31
2015-07-15 08:54
圖片里面有很多干貨  要是能詳細(xì)的解釋一下就更好了  可以理解更好
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