適用于高效率反激式設(shè)計(jì),內(nèi)置同步整流控制器和反饋,更加節(jié)省外部元件。

氮化鎵功率器件市場占比排名前三的分別是納微、PI、英諾賽科，PI的出貨量是比較大的三家氮化鎵芯片原廠

采用的單級變換器并聯(lián)結(jié)構(gòu)省掉DC-DC，具有零件數(shù)量少、成本低、效率高、EMI容易通過等特性。

在整個的電壓范圍內(nèi)具有高效率的輸出，性能出色，工作溫度范圍高。

InnoSwitch3不僅復(fù)雜性更低，且在平均效率、輕載效率、空載功耗等性能都很好。

GaN應(yīng)用一個難點(diǎn)在于其超高的開關(guān)速度，設(shè)計(jì)時比較難于驅(qū)動和保護(hù)。

PI將GaN開關(guān)與電源IC集成在一個封裝內(nèi)，簡化了客戶的設(shè)計(jì)，方便其能夠快速設(shè)計(jì)出電源產(chǎn)品。

動態(tài)響應(yīng)特性、輕載輸出紋波和EMI的降低方面有有不錯的表現(xiàn)。

有源鉗位的加入，可在減小開關(guān)損耗的同時提高開關(guān)頻率，從而減小變壓器的體積，實(shí)現(xiàn)高效率高功率密度的氮化鎵充電器設(shè)計(jì)。

高頻反激開關(guān)電源通過RCD吸收電路，電容儲存變壓器漏感能量，并通過電阻消耗，限制初級開關(guān)管上的電壓。

但是隨著頻率的提升，吸收回路所損耗的能量和開關(guān)損耗越來越大，損耗的增加，制約了充電器的效率。

原先的這種充電器還增大了發(fā)熱，使得充電器的小型化受到限制，功率要大，得加散熱片，體積就大了。

PI通過增加有源鉗位開關(guān)，與鉗位電容串聯(lián)的結(jié)構(gòu)去取代傳統(tǒng)反激電路中的RCD吸收電路。

原理就是通過回收變壓器漏感能量到輸出端，提升轉(zhuǎn)換效率，還可以實(shí)現(xiàn)初級開關(guān)管零電壓開關(guān)。

 采用PowiGaN開關(guān)技術(shù)后的設(shè)計(jì)出的電源功率更大且耐壓更高。

PI的氮化鎵技術(shù)處于世界領(lǐng)先地位，批量出產(chǎn)很多型號的芯片，也適合用在汽車上，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

未來幾年以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用的普及，性能出色。

PowiGaN器件，把周圍的元件都做了，價格如何呢？

我很好奇，加上散熱片是不是可以努力到150瓦功率？

散熱片的省去，節(jié)約了電源成本，同時提高了效率，功在當(dāng)代利在千秋

    采用GaN開關(guān)晶體管替換IC初級的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗，并極大降低工作時的開關(guān)損耗，這讓大幅降低電源系統(tǒng)能耗、進(jìn)一步提高效率、在更小的體積內(nèi)輸出更大的功率

適合高功率密度的產(chǎn)品

 采用GaN開關(guān)晶體管可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗

數(shù)量少、成本低、效率高、EMI容易通過

采用GaN開關(guān)晶體管替換IC初級的常規(guī)高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗

GaN可以降低電流流動期間的傳導(dǎo)損耗，并極大降低工作時的開關(guān)損耗，這讓大幅降低電源系統(tǒng)能耗、進(jìn)一步提高效率

學(xué)習(xí)了PowiGaN

最近氮化鎵技術(shù)講的挺多的，但是市場應(yīng)用情況怎么樣呢，我還 沒有接觸到氮化鎵技術(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用

PowiGaN元器件的壽命是怎么樣的？

現(xiàn)在手機(jī)因?yàn)槠聊缓托酒己碾娋薮?，快速充電成了每個手機(jī)的標(biāo)配。GaN開關(guān)晶體管做成的快速充電頭子，是手機(jī)必須的，它雖然比傳統(tǒng)的手機(jī)頭子大一點(diǎn)，但是整理散熱還不錯，轉(zhuǎn)化效率很高。