INN5396最大的特點(diǎn)就是采用了無(wú)需有源鉗位開關(guān)的零電壓開關(guān)(ZVS)操作,同時(shí)更加精準(zhǔn)的SR FET控制技術(shù),進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的效率及整體方案極低的元件數(shù)目。使用的是氮化鎵(GaN)的功率開關(guān)和零電壓開關(guān),因此可以降低開關(guān)損耗,使變換效率超過95%。這樣的設(shè)計(jì)可以省去熱管理所需的散熱片、導(dǎo)熱片和灌封材料,從而進(jìn)一步減小尺寸,降低元件成本和制造復(fù)雜性。
該產(chǎn)品高效率反激電源設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
主控IC可以優(yōu)化緊湊型、高效率單口或多口USB PD適配器的設(shè)計(jì)和制造,還能方便用戶實(shí)時(shí)掌握電源的工作狀態(tài),包括電源的故障情況等
創(chuàng)新地將ZVS反激式拓?fù)渑cGaN互相結(jié)合,讓原本普通的電源器件擁有了神奇的功效——開關(guān)損耗幾乎為零,并且可以利用GaN低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)來(lái)降低導(dǎo)通損耗。隨著器件溫升的降低,可以實(shí)現(xiàn)更加緊湊的適配器布局,其元件數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于非對(duì)稱半橋(AHB)電路或有源鉗位的方案設(shè)計(jì)。